EUVリソグラフィ技術の基礎・進展と今後の展望

微細化のトレンドと共に、半導体加工技術はg線からi線、エキシマ光源と進んできた。しかしながら、微細化は留まることなく、光源波長の1/4以下の微細なパタン形成を実現してきた。 　さらに、20nm以下の領域に達しており、さらに10nm台も検討されている。 　これらの微細化のトレンドをさらに延伸させるための技術として、極端紫外線リソグラフィー (EUVL) 技術が開発されている。この技術は、透過型マスクと従来の屈折レンズによる縮小露光と異なり、反射型マスクと多層膜をミラー面に形成した反射鏡が用いられる。 　さらにレジストも今までにない解像性、線幅精度が要求される。また、マスク検査も露光に用いる光源にての評価が必要となる。
これらの技術開発に対し、この30年近くの間に数多くの革新的なブレークスルーがあった。本講座ではこれらの技術の紹介を行なう中で、本技術への理解を深める。 　できるだけ平易に説明できるよう努め、随時質問に応じる講演としたい。

1. はじめに
2. 極端紫外線リソグラフィー (EUVL) 開発の歴史
3. 多層膜光学系の設計
4. 多層膜ミラーの製作とマスク
5. 非球面ミラー加工と評価
6. EUVL用レジスト開発状況
7. EUVL用マスク検査機の開発
8. EUVL用光源の開発状況
9. 今後の課題
10. まとめ

• 質疑応答