三次元集積化が拓く次世代半導体パッケージ技術と開発動向

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本セミナーでは、これまでの先進パッケージ開発の経緯を整理し、半導体デバイスチップの三次元集積化プロセス、Fan-Out型パッケージの基礎を再訪しながら、今後の開発動向と市場動向を展望いたします。

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プログラム

HBM支配の続く先端AI/HPCデバイスのシステムレベル性能向上は先進パッケージの高品位化開発に支えられています。一方、UCIe標準規格に準拠する先端ノード、非先端ノードのSiデバイスのMix & Matchによる多様な産業用途向けのSoC製品を効率的に創出するために、Chiplet integrationのエコシステムの早期確立が期待されています。  半導体パッケージの役割が急峻に変質する状況において、一部のバズワードの流布に煽られることなく地道な開発を継続するために、本セミナーでは三次元集積化へ進展した半導体パッケージ開発経緯の整理、TSV積層、Hybrid bonding積層、3D Fan-Out packagingを構成する基幹プロセスの基礎の再訪を中心に、PLP、Glass packaging、Co-Packaged Opticsへ深化を続ける先進パッケージの動向に言及します。

  1. 最近の先進半導体デバイスパッケージ
    1. システムレベル性能向上への寄与
    2. Co-Packaged Opticsの話題
  2. 後工程の高品位化と中間領域技術の進展
  3. 三次元集積化の基幹プロセスの基礎
    1. TSV再訪 (HBM積層からBSPDNへ)
    2. Wafer level Hybrid Bonding (CIS, NANDのデバイス性能向上)
    3. CoW Hybrid Bonding (SRAM増強, 異種チップ積層)
    4. Logic-on-memory積層SoCデバイス再訪
      (再配線, マイクロバンプ, マスリフロー積層導入の原点)
    5. Siインターポーザーの導入からSiブリッジ導入によるモールドインタポーザーへ
      (EMIBの進展とCoWoS-Lの採用拡大)
    6. 再配線の微細化と多層化
      (SAP延命とダマシンプロセスの導入)
  4. Fan-Out (FO) 型パッケージプロセスの基礎
    1. FOパッケージの市場浸透 (パワーデバイスのFO化)
    2. プロセス選択肢の拡大
    3. TMI によるFO三次元集積化 (メモリパッケージのFO化)
  5. Panel Levelプロセス (PLP) の高品位化とGlassパッケージ開発
    1. システムレベルの規模拡大とレティクルフリー露光プロセス
    2. PLPの開発経緯と未解決課題
    3. Glassプロセスの開発動機と課題
      • TGV形成
      • Cu埋め込み
      • 信頼性
      • CPOとの親和性
  6. 今後の開発動向
    1. デバイスパッケージの熱放散性向上 (材料と構造)
    2. AIメモリパッケージの動向
      • LPW
      • HBM
      • HBF
      • HBS
  7. Q&A

受講料

  • 1名様: 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
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    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)

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