データセンター向け先端半導体デバイスのパッケージと半導体封止材の技術トレンド

データセンター向けのデバイスではAIの出現によって高速化、小型化、低消費電力への要求が今まで以上に加速してきた。それに対応するべくチップレットというデザインが提案され、ウェハーレベルを中心としたパッケージングが適用されるようになり、封止材に対しては低誘電正接や高熱伝導性といった新たな特性が求められるようになってきた。 　従来の性能を維持しながらこれらの要求特性をどのようにクリアーしていくのか、また封止材からは少し離れるがこれからのデータセンター向けデバイスを語る上で欠かせない光電融合技術の動向について最後に少し触れる事とする。

1. データセンターの現状と課題
   1. 消費電力増大に対する対応
   2. データセンターにおけるデバイス構成
   3. パワーデバイスの変革
   4. 演算デバイスの変革
   5. メモリーデバイスの変革
   6. 光配線への移行
2. パッケージング技術の動向
   1. ワイヤーボンド
      1. トランスファー成型
      2. コンプレッション成型
   2. フリップチップ
      1. CUF
      2. MUF
      3. NCP/NCF
   3. ウェハーレベル
      1. ウェハーレベルパッケージの種類
      2. ウェハーレベルパッケージの工程
   4. CoW (Chip on wafer)
   5. チップレットとヘテロジーニアスインテグレーション
   6. ハイブリッドボンディング
3. 半導体封止材の設計 (既存パッケージ)
   1. 半導体封止材の共通の要求特性と設計
      1. 耐熱性
      2. 耐湿性
      3. 低応力
      4. 密着性
      5. 高純度
   2. パワーデバイス封止材の要求特性と設計
      1. 超高耐熱
      2. 熱エージング特性
      3. 耐電圧特性
   3. 次世代パッケージ封止材の要求特性と設計
      1. 低誘電正接
      2. 高熱伝導
      3. 耐電圧特性
4. 半導体封止材の評価
   1. 作業性評価
   2. 熱特性
   3. 物理特性
   4. 化学特性
   5. パッケージでの評価
      1. 吸湿リフローテスト
      2. ヒートサイクルテスト
      3. 高温高湿試験
5. 光電融合技術の動向
   1. 光電融合とは
   2. 光ファイバー接合材料
   3. 光導波路
      • ポリマー光導波路
   4. 光変調器
      • EOポリマー
• 質疑応答