TSV・TGV形成に向けためっき技術と高密着・高信頼化

本セミナーでは、TSV・TGV形成に向けためっき技術について取り上げ、微細・高アスペクト比構造への充填、密着性向上、膜形成技術および先端半導体パッケージの高密度化を実現する銅めっき・シード形成技術を詳解いたします。

日時

2026年11月10日 10時45分〜 2026年11月10日 16時45分

開催予定

プログラム

第1部 TSV・TGVを有する実装基板における電解銅めっき技術の基礎と技術課題

(2026年11月10日 10:45〜12:00)

　半導体実装基板の製造において、銅めっきは非常に重要なプロセスである。最先端の実装基板でも、TSV・TGV形成を含め回路形成に銅めっき技術が多用されている。半導体の進化に伴う実装基板の要求特性は変化し、それにより新たな技術課題が生まれ、めっき技術もレベルアップが望まれる。　そこで、それらを解決するための技術革新のベースとなる銅めっきの基礎概念とメカニズムに重点をおいて解説する。また、そのメカニズムを理解するための「エレクトロニクスに従事する技術者に向けた」基礎的な電気化学についても解説する。

「めっき技術」の展望
めっきを理解するための基礎的電気化学
1. 基本はオームの法則
2. めっきに適用する電気化学手法
回路形成・実装のプロセス概要
1. 最近の半導体実装基板
  1. シリコンインターポーザ
  2. CoWoS (Chip on Wafer on Substrate)
  3. ブリッジインターポーザ
  4. ガラス基板
2. 回路形成のプロセス
  1. スルーホールめっき
  2. セミアディティブプロセス
  3. ダマシンプロセス
  4. ビアフィリング
  5. ハイブリッドボンディング
電解銅めっき技術と添加剤の作用
1. 電解銅めっきの構成と添加剤
2. 添加剤の作用メカニズム
3. 添加剤の管理手法
電流密度分布と膜厚均一化
1. 電流密度分布の理論
2. 膜厚均一化の手法
まとめ : AIもめっきがなければ動かない

質疑応答

第2部ガラスコア・インターポーザ向け湿式銅めっきプロセス

(2026年11月10日 13:00〜13:45)

　ガラスコアやガラスインターポーザーの市場における需要が高まりつつある中、製品確立の重要な要素技術の一つである、シード層 TGVフィリングプロセスの工法例をご紹介します。他工法との比較もありますので、プロセスご検討の一助になれば幸いです。

開発の背景
密着増強プロセス
TGVフィリングプロセス

質疑応答

第3部 TSVウエハへの無電解バリアシードめっき膜の形成と評価

(2026年11月10日 14:00〜15:15)

　TSVウエハへの無電解CoWB/Cuバリアシード膜形成技術について、その開発背景、形成プロセス、極深孔TSVへの適用事例および評価結果を中心に解説する。

TSV技術の概要と課題
1. TSV技術の概要・プロセス
2. 高アスペクト比化に伴う課題
TSV向けバリアシード膜形成技術
1. バリア膜・シード膜の役割
2. スパッタ法・無電解めっき法の各特徴
無電解CoWB/Cuバリアシード膜形成プロセス
1. 前処理工程
2. めっき工程
TSV向け無電解バリアシード膜形成における課題と対策
1. 密着性
2. 連続膜形成
極深孔TSVへの適用事例
1. 評価基板
2. CoWB/Cu積層膜形成
CoWB/Cu積層膜の評価
バリア性能評価
電気特性評価
今後の展望

質疑応答

第4部次世代半導体パッケージ向け難接着材へのプラズマ表面改質によるめっき前処理技術

(2026年11月10日 15:30〜16:45)

　次世代半導体パッケージでは、ガラス基板が検討されているが、ガラスへの高密着銅めっき、B5G/6Gでは、低誘電樹脂への投錨効果や接着剤に用いず銅めっきや銅箔との密着性を確保する技術が確立できていない。電子技研では、減圧プラズマを用いた表面改質により基材表面に強固に結合した官能基 ( -NH基) を形成することにより、難接着材であるガラス・低誘電樹脂への銅めっき、および樹脂を直接接着する前処理技術を開発した。　本講演では、本表面改質の原理からTGVへの高密着めっきの実例までを解説するとともに、ガラス基板に関しては、熱膨張係数差に起因するCu/ガラス基板の信頼性低下防止のための無機バッファ層を用いた取り組みを紹介する。

株式会社電子技研の会社紹介
技術課題
プラズマを用いた表面改質による接着原理および状態評価
表面改質を用いた直接めっき、直接接着技術原理
表面改質を用いた直接めっき
1. 難接着材への直接銅めっき
  - フッ素
  - LCP
  - PPE
2. ガラスへの直接及びDLCバッファ層を介した銅めっき
3. ビア、スルーホールへの高密着直接銅めっき
表面改質を用いた接着剤レス直接接着技術
1. 低誘電率樹脂と金属 (Cu) 、低誘電率樹脂との直接接着
2. 直接接着の応用
3. コア材を用いた多層膜の直接接着
  - PI
  - LCP
封止樹脂・接着剤の接着強度改善技術
1. 接着剤の接着強度改善 (Cu/エポキシ系接着剤)
2. 異種材料の密着強度up (金、セラミックスとシリコーン接着剤の密着)
3. 高耐熱封止樹脂の密着性改善

質疑応答

受講料

1名様: 60,000円(税別) / 66,000円(税込)
複数名: 55,000円(税別) / 60,500円(税込)

複数名同時受講割引について

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 55,000円(税別) / 60,500円(税込) で受講いただけます。
5名様以降は、1名あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 60,000円(税別) / 66,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 110,000円(税別) / 121,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 165,000円(税別) / 181,500円(税込)
- 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 220,000円(税別) / 242,000円(税込)
- 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 250,000円(税別) / 275,000円(税込)

同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
他の割引は併用できません。

アカデミック割引

1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方

支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
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