ウエットエッチングの基礎と今後の展開

近年、省エネルギー・省資源化のために、液晶、PDP,有機ELに代表される電子ディスプレイ・半導体製品の小型化、軽量化、省電力化の開発が進み、特に微細化・高密度化の製造プロセスが進歩してきた。 　これらの技術進歩にはドライ・ウエットエッチング技術開発なしには語ることができない。しかし、ドライエッチングは装置が高価という弱点があるため、ウエットエッチング化の要求は増すばかりである。 　今回、ウエットエッチングの基礎と金属複合構造、透明電極向け技術並びに新規材料についてのエッチング技術について、実際のデバイス・基板をセミナー会場に展示し、説明・紹介する。

1. ウエットエッチングの基礎技術
   1. エッチング概論
   2. ウエットエッチングの方式・方法
   3. パターニング製造プロセス概論
   4. 製造プロセスに使用される主な薬剤
   5. フォトグラフィー技術
2. 金属ウエットエッチング技術
   1. 金属薄膜の特性
   2. エッチング剤の構成と各成分の働き
   3. 金属積層膜エッチング技術
3. 透明電極膜 (ITO,IZO) エッチング技術
   1. ITO膜の特長
   2. ITO膜のエッチング技術
4. フォトレジスト剥離技術
   1. 剥離剤について
   2. リサイクル技術
      • In回収
      • 溶剤蒸留
5. 新規材料への取り組み
   1. Agナノワイヤーエッチング技術
      • パーシャル・フルエッチング
   2. LED用エッチング技術
      • GaP
      • AlGaAs
      • AlGaInP
      • GaAs粗面化剤
   3. 単結晶太陽電池テクスチャーエッチング剤
      • IPAフリータイプ