SiC/GaNパワーデバイスにおける高耐熱・放熱部材の開発と技術動向

第1部 パワー半導体モジュールにおける熱設計技術と技術動向

2013年1月18日 11:00〜12:30)

富士電機 (株) 技術開発本部 電子デバイス研究所 次世代モジュール開発センター パッケージグループ
池田 良成 氏

　パワー半導体デバイスを搭載したIGBTモジュールなどのパッケージ設計に必要な熱設計技術、信頼性技術を中心に紹介をする。 　また、近年注目を浴びているワイドバンドギャップデバイス”SiC”など高周波駆動、高温動作が可能なデバイス特性を引出すためにパッケージに求められる技術も紹介をする。

1. パワー半導体の使用用途
2. パワー半導体モジュールの構造
3. パワー半導体モジュールの熱設計
4. パワー半導体モジュールの信頼性設計
5. ワイドバンドギャップデバイスで求められるパッケージ技術

• 質疑応答・名刺交換

第2部 高熱伝導性複合樹脂のパワーデバイス放熱部材への応用展開

(2013年1月18日 13:10〜14:40)

九州工業大学大学院 工学研究院 電気電子工学研究系 電気エネルギー部門 助教 小迫 雅裕 氏

　放熱性と電気絶縁性の相反する特性の双方向上が求められている。エポキシ複合絶縁材料の高熱伝導化に関して、絶縁特性を向上できるナノコンポジット化技術、および熱伝導性を向上できるフィラー電場配向制御技術について解説する。 　エポキシ樹脂に充填するフィラーは、アルミナおよび窒化ホウ素などを中心に取り上げる。

1. 一般的なエポキシ複合絶縁材料の熱伝導性
2. ナノコンポジット化技術
   1. ナノコンポジット材料の概要
   2. ナノ・マイクロコンポジットの特徴
      • 熱伝導性
      • 絶縁特性
      • 誘電特性
   3. 導電性フィラーへのナノアルミナコーティング効果
3. フィラー電場配向制御技術
   1. 基本原理
   2. フィラー電場配向制御方法
   3. 複合材の評価結果
      • フィラー分散状態
      • 熱伝導率
      • 絶縁耐力
   4. 硬化反応中のIn-situ観察
      • 粒子挙動
      • 粘性変化
      • 誘電特性変化
   5. 各種パラメータの影響
      • 電界強度・時間
      • 電圧周波数
      • 平等/不平等電場
4. まとめ

• 質疑応答・名刺交換

第3部 パワーデバイス用封止材料の最新技術動向　－高耐熱化、高純度化、高放熱化等－

(2013年1月18日 14:50〜16:20)

(有) アイパック 代表取締役 越部 茂 氏

　パワーデバイスが注目されている。社会生活に必須の電力=電気を制御する働きを持つ。 近年、省エネ (家電・自動車等) や自然再生エネルギーの用途で需要拡大が期待される。省資源化には、パワーデバイスの進化 (省エネ化、小型化等) が求められている。 　今回、パワーデバイス及びその封止材の技術動向について解説する。

1. パワーデバイス
   1. 種類
   2. 用途
   3. 技術動向
   4. 市場動向
   5. PKG構造
   6. 放熱構造
2. バワーデバイスの封止技術
   1. 封止法
   2. 封止材
3. パワーデバイス用封止材の評価
   1. 一般特性
   2. 信頼性
4. パワーデバイス用封止材の課題
   1. 高耐熱化
   2. 高純度化
   3. 高放熱化
5. パワーデバイス用封止材の高放熱化
   1. フィラー
   2. 充填技術
   3. 表面改質
6. パワーデバイス用新規放熱性封止材
   1. 既存封止材の問題
   2. 新規放熱材の開発

• 質疑応答・名刺交換