本セミナーでは、パワーデバイスにおける最新の技術動向を踏まえながら、材料観点から熱対策技術を分かりやすく解説いたします。
2013年1月18日 11:00〜12:30)
富士電機 (株) 技術開発本部 電子デバイス研究所 次世代モジュール開発センター パッケージグループ
池田 良成 氏
パワー半導体デバイスを搭載したIGBTモジュールなどのパッケージ設計に必要な熱設計技術、信頼性技術を中心に紹介をする。 また、近年注目を浴びているワイドバンドギャップデバイス”SiC”など高周波駆動、高温動作が可能なデバイス特性を引出すためにパッケージに求められる技術も紹介をする。
(2013年1月18日 13:10〜14:40)
九州工業大学大学院 工学研究院 電気電子工学研究系 電気エネルギー部門 助教 小迫 雅裕 氏
放熱性と電気絶縁性の相反する特性の双方向上が求められている。エポキシ複合絶縁材料の高熱伝導化に関して、絶縁特性を向上できるナノコンポジット化技術、および熱伝導性を向上できるフィラー電場配向制御技術について解説する。 エポキシ樹脂に充填するフィラーは、アルミナおよび窒化ホウ素などを中心に取り上げる。
(2013年1月18日 14:50〜16:20)
(有) アイパック 代表取締役 越部 茂 氏
パワーデバイスが注目されている。社会生活に必須の電力=電気を制御する働きを持つ。 近年、省エネ (家電・自動車等) や自然再生エネルギーの用途で需要拡大が期待される。省資源化には、パワーデバイスの進化 (省エネ化、小型化等) が求められている。 今回、パワーデバイス及びその封止材の技術動向について解説する。