本セミナーでは、先端半導体デバイスにおける多層配線の材料・構造・プロセスの変遷、CuダマシンプロセスとPost-Cu配線材料候補及びプロセス、低誘電率 (Low-k) 絶縁膜などの最新技術を解説いたします。
また、新たな技術トレンドである「裏面電源供給」のための配線形成・貼合プロセスやDRAMやNANDの3Dメモリチップ積層とウエハレベル貼合、異種デバイス集積化 (チップレットインテグレーション) 、FOWLP/PLP、ガラスサブストレート、高周波基板材料など、幅広い技術を基礎・開発動向の両面から議論いたします。
日時
- 2026年9月9日 13時00分〜 2026年9月9日 17時30分
開催予定
プログラム
- 微細化の物理限界と2.5D/3Dデバイス集積化によるMooreの法則の継続・発展
- メモリデバイスの3D集積化 (TSV/チップ積層) 技術の基礎〜最新動向
- Si貫通孔 (TSV) によるデバイス集積化のメリット
- TSVを用いた三次元チップ積層の実例1 (DRAM/HBM)
- TSVを用いた三次元チップ積層の実例2 (NAND/SSD)
- TSVを用いた三次元チップ積層構造における発熱問題とアンダーフィル材の熱抵抗低減技術
- 大容量HBMにおける積層化プロセスロードマップ
- チップ積層 (CoC)
- ウエハ積層 (WoW、WoW&CoW、CoW)
- メモリデバイスの3D積層化 (Hybrid Bondingによるウエハ貼合) 技術の基礎〜最新動向
- 3D-NAND製造におけるウエハレベル貼合方式の概要
- Xtacking
- CBA
- ウエハレベル貼合技術の種類と比較、有力候補 (PAB)
- ウエハレベル貼合技術の課題と対策
- 貼合の低温化
- 貼合前平坦化
- ベベル制御
- 3D-NAND製造におけるウエハレベル貼合方式の概要
- チップレット技術による2.5D/3Dデバイス集積化の基礎〜最新動向
- 各種チップレット技術の概要と特徴
- CoWoS
- InFO
- EMIB
- Foverosなど
- TSMC、Intel、Samsungのチップレット技術の詳細とデバイス適用事例
- 各社のチップレット技術の整理と業界団体「UCIe」の設立
- 国内のコンソーシアム設立の動き
- PSB
- BB Cube 3D
- ASRA
- SATA
- ウエハレベルパッケージ (FO-WLP) 技術の特長と変遷、代表的なプロセス
- FO-WLPとPLPの使い分け、FO-PLPの要求仕様
- FO-PLPにおける微細再配線 (RDL) の低コスト形成プロセスの候補
- 各種チップレット技術の概要と特徴
- 5G世代以降のための高周波対応低伝送損失材料の要求と有力材料の最新動向
- 5G以降の高周波対応低伝送損失絶縁材料の候補
- パッケージ基板の最新開発動向 (樹脂・シリコン基板/TSV⇒SiO2・ガラス基板/TGV (TDV)
- CoC、CoW、WoWの主要アプリとPros/Cons、先進PKG技術のロードマップと市場動向
- ウエハ裏面への電源供給配線網 (BS-PDN、PowerVia、SPR) の形成技術の最新動向
- ウエハ裏面への電源供給配線網 (BS-PDN) 形成の経緯・背景と特徴、課題
- 埋め込み電源線 (BPR) と裏面の電源供給配線網 (BS-PDN) の接続形態と構造
- BS-PDNを形成するための貼合プロセス例と接続断面構造
- BS-PDNによる回路ブロック面積及びIRドロップの低減効果
- IntelによるPowerViaの概要と特徴、テストチップの評価結果、20A世代からの採用計画
- TSMCもA16世代からSPRを採用へ、Samsungも2nm世代 (SF2Z) からBSPDNを採用へ
- 統括
- 質疑応答
受講料
- 1名様: 34,400円(税別) / 37,840円(税込)
- 複数名: 22,500円(税別) / 24,750円(税込)
複数名受講割引
- 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 34,400円(税別) / 37,840円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
- 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 請求書は、代表者にご送付いたします。
- 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。 - 他の割引は併用できません。
- サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。
アカデミー割引
教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。
- 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
- 企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
- お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。
2日間コースのお申込み
- 2026年9月2日,9日「先端半導体デバイスの多層配線技術と2.5D/3Dデバイス集積化 (2日間セミナー)」
- 通常受講料 75,680円(税込) → 割引受講料 58,520円(税込)
セット対象セミナー
- 2026年9月2日「微細Cu配線・Low‐k/Air-Gap材料・Post-Cu材料に見る先端多層配線技術」
- 受講料 : 34,400円(税別) / 37,840円(税込)
- 2026年9月9日「HBM・チップレット時代の3D積層技術と先進パッケージの最新動向」
- 受講料 : 34,400円(税別) / 37,840円(税込)
ライブ配信セミナーについて
- 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
- お申し込み前に、 Zoomのシステム要件 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
- 開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
- セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
- ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
- タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
- ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
- 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
- Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。