本セミナーでは、先端半導体デバイスにおける多層配線の材料・構造・プロセスの変遷、CuダマシンプロセスとPost-Cu配線材料候補及びプロセス、低誘電率 (Low-k) 絶縁膜などの最新技術を解説いたします。
また、新たな技術トレンドである「裏面電源供給」のための配線形成・貼合プロセスやDRAMやNANDの3Dメモリチップ積層とウエハレベル貼合、異種デバイス集積化 (チップレットインテグレーション) 、FOWLP/PLP、ガラスサブストレート、高周波基板材料など、幅広い技術を基礎・開発動向の両面から議論いたします。
日時
- 2026年9月2日 13時00分〜 2026年9月2日 17時30分
開催予定
プログラム
- 多層配線技術の役割とスケーリング,材料・構造・プロセスの変遷
- 多層配線の役割と要求,階層構造,フロアプランの実例
- 配線長分布と配線階層 (Local, Intermediate, (Semi-) Global) 毎のRC寄与度の違い
- 下層 (Local) ・中層 (Intermediate) 及び上層 ( (Semi-) Global) 配線のスケーリング理論
- 多層配線技術の進化の足跡
- 配線・コンタクト・Viaホールの材料・構造・プロセスの変遷
- 微細Cuダマシン配線技術の基礎〜最新動向
- 配線プロセスの変遷 (Al-RIE⇒Cuダマシン)
- 金属材料の物性比較とCu選定の考え方
- Cu酸化拡散防止膜 (バリアメタル) の要件と材料候補 (Ta (N) ,Ti (N) ,Nb (N) ,W (N) )
- Ta (N) の課題 (対Cu濡れ性,対酸化性) とTi (N) の優位性
- バリアメタル及びSeed-Cuスパッタ法の変遷と課題
- CVD-Ru,Co, RuCoライナーによるCu埋め込み性の改善
- Mnを利用した超薄膜バリア (MnSixOy) 自己形成技術
- Cu電解めっきプロセスの概要と無電解法, Cuリフロー法, MOCVD法との比較, Additiveの重要性,役割,選定手法
- CMPプロセスの概要と研磨スラリーの種類,適用工程の拡大
- Cu-CMにおける低機械強度Low-k対応施策
- 低荷重
- 複合粒子スラリー
- Pad表面改質
- Post-Cu配線技術の基礎〜最新動向
- Cuダマシン配線における微細化・薄膜化による抵抗増大
- 平均自由行程からみたCu代替金属材料候補の考え方
- W,Co,Ru,Mo,Ni, Al2Cu, NiAl, CuMgなどの最新開発動向から見た有力候補
- 金属配線の微細化限界についての考察とナノカーボン材料への期待
- 多層CNT (MWCNT) によるViaホールへの埋め込みと課題
- 多層グラフェン (MLG) による微細配線形成と低抵抗化検討結果
- 低誘電率 (Low-k/Air-Gap) 絶縁膜形成技術の基礎〜最新動向
- Cu配線に用いられている絶縁膜の種類と役割
- 各種配線パラメータの容量に対する感度解析結果
- ITRS (国際半導体技術ロードマップ委員会) Low-kロードマップの課題と大改訂
- 比誘電率 (k) 低減化の手法と材料候補 (SiOF, MSQ/SiOC, PAr, BCBなど)
- 層間絶縁膜 (ILD) 構造の比較検討 (Monolithic vs. Hybrid)
- 材料物性から見たLow-k材料の課題
- 低機械強度
- 低プラズマダメージ耐性など
- Porous材料におけるPore分布の改善とEB/UV-Cure技術の適用効果
- Porous材料におけるダメージ修復技術の効果
- Pore後作りプロセスの提案とLow-k材料の適用限界の考察
- Air-Gap技術の導入の考え方と構造・方式の比較、課題、現実的な解
- 質疑応答
受講料
- 1名様: 34,400円(税別) / 37,840円(税込)
- 複数名: 22,500円(税別) / 24,750円(税込)
複数名受講割引
- 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 34,400円(税別) / 37,840円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
- 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 請求書は、代表者にご送付いたします。
- 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。 - 他の割引は併用できません。
- サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。
アカデミー割引
教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。
- 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
- 企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
- お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。
2日間コースのお申込み
- 2026年9月2日,9日「先端半導体デバイスの多層配線技術と2.5D/3Dデバイス集積化 (2日間セミナー)」
- 通常受講料 75,680円(税込) → 割引受講料 58,520円(税込)
セット対象セミナー
- 2026年9月2日「微細Cu配線・Low‐k/Air-Gap材料・Post-Cu材料に見る先端多層配線技術」
- 受講料 : 34,400円(税別) / 37,840円(税込)
- 2026年9月9日「HBM・チップレット時代の3D積層技術と先進パッケージの最新動向」
- 受講料 : 34,400円(税別) / 37,840円(税込)
ライブ配信セミナーについて
- 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
- お申し込み前に、 Zoomのシステム要件 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
- 開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
- セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
- ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
- タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
- ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
- 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
- Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。