本セミナーでは、半導体デバイスに用いられる様々な接合技術とその評価技術について基礎から応用までを解説いたします。
日時
- 2026年9月15日 13時00分〜 2026年9月29日 17時00分
プログラム
近年、小型、低消費電力、高放熱、高出力などの優れた特性を有する高性能・高機能エレクトロニクスデバイスの実現に、異種材料・異種機能を集積するヘテロジニアス集積技術が重要な役割を果たすと期待され、注目を集めている。ヘテロジニアス集積を実現する重要な要素技術が接合技術である。例えば、近年のAIの急速な進展により、AI向けに使用される先端半導体では、半導体の進化 (高性能化・低消費電力化) を先端パッケージで担う動きが急速に加速しており、チップレット技術が注目され、ハイブリッドボンディングの開発が進められている。また、光信号と電気信号の回路を融合する光電融合技術が低消費電力、高速・低遅延、低損失などの観点から将来のインターコネクト技術として期待が高まっており、光回路と電気回路を集積する技術としてもハイブリッドボンディングが期待されている。このような接合技術の技術的な課題の一つは、接合温度の低温化であり、プラズマ活性化接合や表面活性化接合技術が、注目されている。 本講演では、半導体デバイスを製造する接合技術を概観し、特に低温接合技術に焦点を当て、これらの接合技術の基礎と具体的なデバイスを例に開発動向及び今後の動向を展望する。
- はじめに
- パッケージング分野から見た半導体を取り巻く状況
- 半導体デバイス製造に用いられる接合技術の基礎
- 直接接合
- 陽極接合
- フュージョンボンディング
- プラズマ活性化接合
- 表面活性化接合
- 中間層を介した接合
- はんだ/共晶接合
- 熱圧着接合
- 有機接着剤
- フリットガラス接合
- 直接接合
- 低温接合プロセスの基礎
- 表面活性化接合による半導体の直接接合
- Ge-Ge接合
- GaAs-SiC接合
- 中間層を介した低温接合
- Auを介した大気中での表面活性化接合
- Ti-Ti表面活性化接合
- SnAgCuはんだを介した接合
- ポリシラザンを介した接合
- ハイブリッドボンディング
- 表面活性化接合による半導体の直接接合
- 接合面の平滑化
- おわりに
受講料
- 1名様: 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 複数名: 22,500円(税別) / 24,750円(税込)
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- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
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