CMP (化学機械研磨) は、微細化と多層配線化を支える平坦化技術として量産に定着し、近年はハイブリッド接合をはじめとする先端パッケージの接合品質を左右する基盤技術として、その重要性を一段と増しています。一方でCMP装置は、消耗品・回転体・薬液供給が絡む複雑な装置であり、「装置は正常なのにレートがおかしい」といった、カタログや仕様書には載らないトラブルが現場では頻発します。
本セミナーでは、DRAM製造現場で20年 (うちCMP15年) にわたり装置を運用してきた講師が、200mm→300mm時代の装置進化の要点、パッド・スラリー・終点検知などコア技術の管理手法、実例に基づくトラブルシューティングの「型」、そしてCMP後洗浄の設計と実務までを一気通貫で解説します。さらに、CMPが品質を決めるハイブリッド接合 (ボンディング) の最前線と関連装置を概説し、装置技術の知見が今後どこで活きるのかを示します。過剰な表現を避け、データと実機事例に基づいた「現場で使える」知見の共有を目指します。
- CMP工程の基礎と200mm→300mm装置進化
- CMPとは – 目的と研磨機構
- 200mm時代のCMP (概要)
- 装置の世代ロードマップと200mm装置
- 200mm→300mm装置の比較と進化の鍵
- 300mm装置の構成
- 大口径化がもたらした技術課題とまとめ
- CMP成立のコア技術 (パッド・スラリー・終点検知)
- CMPの第一原理 (Prestonの式と面内不均一)
- 研磨パッド
- スラリー
- 研磨ヘッド
- 終点検知EPD (膜種別の検出原理と波形の読み方)
- CMPトラブルシューティング実践 (事例中心)
- トラブル対応の進め方
- 装置起因トラブル事例
- レート監視と規格管理
- スクラッチ – 形と分布から真因を絞る
- 改善事例:Cuボイド低減と知見の水平展開
- CMP後洗浄の設計と実務
- 後洗浄の設計思想と方式比較
- 後洗浄薬液のchemistry (pHとゼータ電位)
- パーティクル対策とCu腐食防止の両立
- 乾燥とウォーターマーク
- ボンディング技術の概要と関連装置
- なぜ接合が必要になったのか – CMPが決める接合品質
- 接合方式の種類
- 関連装置
- ハイブリッド接合プロセスの流れと接合装置
- 接合の検証とピッチ微細化ロードマップ・最新動向
- まとめ・質疑応答
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