本セミナーでは、EUVリソグラフィ用光源開発の最新動向から最先端のハイブリッドDUVレーザーの高密度実装への応用の現状について解説いたします。
また、半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィから、各露光装置について、レジスト材料の原理までを解説いたします。
日時
- 2026年9月4日 13時00分〜 2026年9月17日 16時30分
開催予定
プログラム
半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ、半導体パターン微細化に伴うリソグラフィ用露光方式の進化の流れを、専門外の方々にもわかりやすく説明する。次に、投影露光装置の構成、主要性能と要素性能の関係について述べ、露光装置についての定性的理解を深めてもらう。更に、解像度に対する投影光学系、照明光学系のパラメータと露光波長の寄与ついて数式を用いて詳しく解説し、専門の方には計算の仕方を、専門外の方には計算結果の意味するところを理解してもらう。 そして、光源、多層膜ミラー、反射光学系を含むEUV露光装置の特徴について説明する。更に、原版となるマスク上に半導体パターンを描画するために用いられる電子ビーム露光装置について説明する。最後に、露光装置によって形成される光強度分布からレジスト像への転写原理、レジスト材料の原理について述べる。
- 半導体高集積化のトレンド
- 半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ
- 露光装置概説
- 半導体露光装置の露光方式の進化
- 半導体露光装置の性能と要素機能、露光技術の発展
- 部分的コヒーレンス理論
- 解像度向上策
- 重ね合わせ精度
- スループットを含む
- EUV露光装置
- EUV露光装置の特徴
- 光源
- 多層膜反射光学系
- 真空ステージ
- EUVマスクを含む
- EUV露光装置の高NA化と将来展望
- Cost of Ownership
- EUV露光装置の特徴
- 電子ビーム露光装置
- レジスト材料の原理
受講料
- 1名様: 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 複数名: 22,500円(税別) / 24,750円(税込)
案内割引・複数名同時申込割引について
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「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 42,000円(税別) / 46,200円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
- R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,000円(税別) / 46,200円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
- R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
アーカイブ配信セミナー
- 当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
- 配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
- 視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
- 視聴期間は2026年9月4日〜17日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。