200mm装置から300mm装置の大型化・高精度化に対応するCMP技術開発の動向

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本セミナーでは、長年DRAM製造現場でCMP装置を運用してきた講師が、200mm→300mm時代の装置大型化・高精度化の要点、研磨メカニズムの基礎、パッド・スラリー・終点検知などコア技術の管理手法、実例に基づくトラブル対策の「型」、そしてCMP後洗浄の設計と実務までを一気通貫で解説いたします。

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CMP (化学機械研磨) は、微細化と多層配線化を支える平坦化技術として量産に定着し、近年はハイブリッド接合をはじめとする先端パッケージの接合品質を左右する基盤技術として、その重要性を一段と増しています。一方でCMP装置は、消耗品・回転体・薬液供給が絡む複雑な装置であり、「装置は正常なのにレートがおかしい」といった、カタログや仕様書には載らないトラブルが現場では頻発します。  本セミナーでは、DRAM製造現場で20年 (うちCMP15年) にわたり装置を運用してきた講師が、200mm→300mm時代の装置大型化・高精度化の要点、研磨メカニズムの基礎、パッド・スラリー・終点検知などコア技術の管理手法、実例に基づくトラブル対策の「型」、そしてCMP後洗浄の設計と実務までを一気通貫で解説します。あわせて、CMPが品質を決めるハイブリッド接合 (ボンディング) の最新動向にも触れ、装置技術の知見が今後どこで活きるのかを示します。過剰な表現を避け、データと実機事例に基づいた「現場で使える」知見の共有を目指します。

  1. CMP装置の基礎と200mm→300mm装置進化
    1. CMPとは – 平坦化の目的と研磨機構
      1. 平坦化の目的と「止め方」
        • 下地停止
        • 膜中停止
      2. 研磨機構の構成要素
        • パッド
        • スラリー
        • ヘッド
        • プラテン
    2. 200mm時代のCMP
      1. CMPの量産プロセスへの定着
      2. 200mm装置の構成例
        • 2HEAD/1TABLE型
        • 4HEAD/3TABLE型
      3. 研磨部とインライン後洗浄の一体化 (CMPセル構成)
    3. 装置の世代ロードマップ
      • 200mm
      • 300mm
      • 次世代
    4. 200mm→300mm 装置進化の鍵
      1. 研磨機構・プラテン数・ヘッド構造の比較
      2. ヘッド圧力制御の高度化 (メンブレンの多ゾーン化と大口径均一性)
      3. 搬送・生産性 (単テーブルからマルチプラテン+カルーセルへ)
    5. 300mm量産装置の構成
      1. 研磨部の構造
      2. 後処理部 (洗浄部) の構造
      3. リアルタイムプロファイル制御 (測りながらゾーン圧を補正)
      4. 多ステップCMPとスループット
    6. 大口径化がもたらした技術課題
      • 研磨均一性
      • スラリー供給
      • 装置精度
    7. 第1章まとめ:進化の要点
  2. 研磨メカニズムとパッド・スラリー管理
    1. CMPの第一原理
      1. Prestonの式 (レート=K×圧力×相対速度)
      2. 面内不均一の発生要因と考え方
    2. 研磨パッド
      1. 種類と溝形状
        • 硬質/軟質
        • スラリー保持
        • 平坦性
      2. 状態管理 (コンディショニングと表面状態)
      3. ドレッサ (目立て) の管理と寿命
      4. パッド寿命の見極め【実務】 (レート全面低下からの消去法)
    3. スラリー
      1. 膜種別の設計・選定ロジック
        • BPSG
        • STI
        • Cu
        • W
      2. 砥粒の種類と使い分け
        • シリカ
        • セリア
      3. 沈殿対策・供給管理【実務】
    4. 研磨ヘッド
      1. 構造 (メンブレン・リテーナリング)
      2. 面内圧力分布の作り方 (保持⇔研磨の動作概念)
    5. 終点検知 (EPD)
      1. 検出原理と膜種別の使い分け
        • 光学式
        • 渦電流式
        • トルク
      2. 波形の読み方と誤検知防止【実務】
  3. CMPトラブル対策 (事例中心)
    1. トラブル対応の進め方
      • 現象
      • 切り分け
      • 根本原因
      • 対策
      • 効果
      • 水平展開
    2. 装置起因トラブル事例
      1. 研磨ユニット系
        • 回転体・駆動部:トルク・電流・振動トレンドでの予兆管理
      2. 搬送系 (摩耗の定量化と寿命管理)
      3. 洗浄・乾燥系 (欠陥源は研磨部だけではない)
      4. 薬液供給系 (供給設備まで含めた品質管理)
    3. レート監視と規格管理 (「OOCが出ていない=正常」ではない)
    4. スクラッチ-形と分布から真因を絞る
    5. 改善事例:Cuボイド低減 (EPD波形から過研磨を特定)
    6. トラブル対応成果の標準化と水平展開
  4. CMP後洗浄設計
    1. 後洗浄の設計思想 (汚染除去機構と装置構成)
    2. 洗浄方式の比較
      • 除去対象
      • 原理での使い分け
    3. 主要方式の機構
      • PVAブラシ
      • メガソニック
      • 乾燥
    4. 洗浄薬液のchemistry (pHとゼータ電位で「落とす・付けない」を作る)
    5. パーティクル問題 (後洗浄不足起因の発生と対策)
    6. 異物除去とCu腐食防止の両立 (酸・アルカリ条件のバランス)
    7. 乾燥とウォーターマーク (「水を残さない」設計)
  5. 最新動向 – ハイブリッド接合とCMP
    1. なぜ「接合」が必要になったのか (平面微細化の限界→積層へ)
    2. CMPが決める接合品質
      • ディッシング
      • 表面粗さの要求水準
    3. 接合方式の種類 (W2W/D2W、フュージョン/ハイブリッド)
    4. 関連装置
      • エッジトリム
      • アライメント
      • バックグラインド
      • 接合装置
    5. 接合の検証とピッチ微細化ロードマップ
  6. まとめ・質疑応答

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