シリコンフォトニクスは、シリコン基板上に光導波路、光分岐・合波器、波長フィルタ、光変調器、受光器、レーザ光源などを集積する技術であり、光通信、データセンター、光電融合、LiDAR、センシングなど、幅広い分野で重要性が高まっています。特に近年は、半導体微細加工技術を活用した小型・低消費電力・高機能な光集積デバイスへの期待が大きく、次世代の情報通信・計測システムを支える基盤技術として注目されています。
本セミナーでは、シリコンフォトニクスの基本的な考え方から、代表的な集積光デバイスの動作原理、設計・評価上のポイント、実用化に向けた課題までを分かりやすく解説します。また、光通信・光電融合、LiDAR、センシング、テラヘルツ応用などの最新動向も紹介し、シリコンフォトニクス技術を今後の研究開発、技術調査、応用展開に活用するための視点を提供します。
本セミナーを受講することで、シリコンフォトニクスおよび集積光デバイスの基本原理、代表的なデバイス構成、設計・作製・評価における重要な考え方を体系的に理解できます。また、光通信、データセンター、光電融合、LiDAR、センシング、テラヘルツ応用などへの展開について、最新の研究開発動向を把握することができます。これにより、シリコンフォトニクス技術の導入可能性の検討、新規研究開発テーマの立案、製品企画・技術調査、共同研究や外部技術評価に活用できる知識を習得できます。
- シリコンフォトニクスの概要と技術背景
- データセンター・AI時代における要求
- 電気配線の限界と光配線の優位性
- シリコンフォトニクスの基本構成
- 光源・光導波路・光変調器・光検出器
- 電子回路との対応関係
- 代表的な光トランシーバ構成
- IM/DD方式
- コヒーレント方式
- 光導波路と光伝搬の基礎
- 電磁波としての光の記述
- 全反射と導波条件
- 導波モードの形成
- 定在波としての理解
- モードの離散化
- シリコン導波路の特徴
- 高屈折率コントラスト
- 小型化・高集積化
- パッシブ光デバイス
- 光合分波器
- 方向性結合器
- MMIカプラ
- 干渉デバイス
- マッハ・ツェンダー干渉計 (MZI)
- 位相制御と特性設計
- 共振デバイス
- リング共振器
- 波長フィルタとFSR設計
- 偏波制御デバイス
- 偏波分離器
- 偏波回転器
- アクティブ光デバイス
- 光変調器
- キャリア注入型・空乏型変調器
- 高速化と帯域特性
- 光スイッチングデバイス
- 動作原理
- 応答速度と損失
- 光検出器
- Geフォトダイオード
- 受光特性と帯域
- シリコンフォトニクスの制約
- 発光素子の不在
- 温度依存性・損失
- ヘテロジニアス集積技術
- 異種材料集積の必要性
- III-V族半導体との集積
- SiN・LiNbO3との融合
- ヘテロジニアス光源
- 波長可変レーザ
- 狭線幅化技術
- 光回路モニタリング技術
- インラインモニタ
- フィードバック制御
- ヘテロジニアストランスミッタ
- レーザ・変調器集積
- 高速動作と低消費電力化
- 応用分野と今後の展望
- 光通信応用
- データセンター光インターコネクト
- IM/DD方式とコヒーレント通信
- WDM技術と大容量化
- 光電融合応用
- CPO・光I/Oへの展開
- 電子回路と光回路の融合に向けた課題
- センシング応用
- LiDAR
- FMCW方式の原理
- 光フェーズドアレイによるビームステアリング
- THz波応用
- 二波長レーザによるTHz波生成
- THzセンシング・通信応用
- 産業動向と今後の展望
- ファウンドリーとエコシステム
- 今後の技術課題と展望
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