半導体集積回路デバイスの製造において、プラズマを用いた微細加工、すなわちプラズマエッチングは不可欠なプロセス技術である。トランジスタ、DRAM、NANDに代表されるデバイスでは、従来の微細化および高積層化 (スケーリング) が進められてきた。しかし近年、既存技術には物理的・技術的な限界が顕在化しつつある。そこで、基板温度を極低温領域まで低下させ、ウェハ表面における反応種の物理吸着および表面拡散を制御するクライオプラズマエッチング (cryogenic plasma etching) が注目されている。
本講演では、プラズマエッチングの基本原理から、クライオエッチング導入の背景、反応メカニズムの解明、ならびに最新の研究動向について解説する。
プラズマプロセス分野以外の方でも理解しやすいよう、ドライエッチングの基礎原理と知識から解説する。ドライプロセスの要件を理解することより、高アスペクトエッチング、クライオエッチングの原理と各分野への応用を説明する。最後、クライオエッチングの反応メカニズムと最新動向を紹介する。
- エッチング加工とは
- 等方性エッチング
- 異方性エッチング
- ドライプロセスエッチング
- 低温プラズマの基礎原理と知識
- プラズマエッチングと装置
- プラズマエッチングメカニズム
- 高アスペクトエッチング
- クライオエッチング
- クライオエッチングとは
- クライオエッチングの基礎原理
- クライオエッチングの応用例
- クライオエッチングによる高アスペクト比加工
- クライオシリコン深掘エッチング
- クライオチャネルホール深掘エッチング
- クライオエッチングの反応メカニズムと加工技術の最新動向
- クライオエッチングにおける気相反応
- クライオエッチングにおける表面反応
- クライオ原子層エッチング
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