本セミナーでは、バンドギャップが大きくなるほど評価困難になる欠陥準位評価法の1つである光容量分光法の特徴や測定方法について、従来の評価技術と比較しながら測定原理から応用例までわかりやすく解説いたします。
日時
- 2026年8月31日 13時00分〜 2026年9月14日 16時30分
プログラム
ワイドギャップ半導体は高耐電圧・低損失・高温動作といった優れた物性から、Siを超える省エネルギー型パワーデバイス材料として期待されている。特に窒化物半導体では、AlGaN/GaNヘテロ界面に形成される二次元電子ガスを利用した高周波パワーデバイスが実用段階に達しているが、さらなる性能向上にはヘテロ構造中に残存する欠陥準位の理解が重要である。一方、酸化ガリウム (β-Ga2O3) はGaNやSiCを上回る物性値を持つ次世代パワー半導体として注目され、融液成長による基板の大口径化やデバイス化が進むものの、デバイス特性に直結する欠陥準位の知見は依然として乏しい。本セミナーでは、GaNやβ-Ga2O3などのGa系ワイドギャップ半導体における欠陥準位評価手法として光容量分光法 (SSPC) の原理を解説し、AlGaN/GaNヘテロ構造やβ-Ga2O3に存在する欠陥準位の評価事例を紹介する。 次世代パワー半導体の結晶成長・デバイス開発には様々な課題があるが、欠陥準位に関してはバンドギャップが大きくなるほど評価困難になり、光を用いた欠陥準位評価法が必要となる。その欠陥準位評価法の1つである光容量分光法の特徴や測定方法を習得できる。
- 光容量分光法 (SSPC) の測定原理と特徴
- DLTS法の測定原理
- 光容量分光法 (SSPC) の測定原理
- SSPC微分解析による熱的準位と格子緩和の抽出
- GaNへの適用例
- AlGaN/GaNヘテロ構造に存在する欠陥準位
- p-GaNホモエピ膜に存在する欠陥準位
- β-Ga2O3への適用例
- EFG単結晶基板に存在する欠陥準位
- HVPEホモエピ膜に存在する欠陥準位
受講料
- 1名様: 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 複数名: 22,500円(税別) / 24,750円(税込)
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- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
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