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半導体デバイス・プロセス開発の実際 (前編)

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本セミナーでは、半導体産業全体を俯瞰し、半導体デバイス、プロセス、実装工程の実務、半導体プロセスの特徴・開発・製造方法、最先端半導体デバイスについて詳解いたします。

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プログラム

最近、ニュース等で半導体関連の話題が連日のように報道されていますが、どうしても断片的な情報になってしまい、理解・把握に混乱を招いているように思われます。これは、半導体産業が地理、製造装置、材料、技術的に広範囲に渡る巨大産業のため全体像をつかみにくいためと思われます。 　ここで、一度本講座で半導体産業の全体像を整理します。また、半導体デバイス、プロセス、実装工程、システム設計の実際について必要な知識を装置、材料の変遷を踏まえて基礎から解説いたします。更に、半導体デバイス製造の特徴を上手に利用した開発・製造の考え方を解説いたします。

  • はじめに
  1. 第1章 シリコンの基本
    1. シリコンとは?
    2. 今、なぜシリコンか?
    3. 半導体材料物性比較
    4. シリコンvs.化合物半導体
    5. シリコン資源
  2. 第2章 シリコンウェハ製造プロセス
    1. 珪石とは?
    2. 珪石から金属シリコンの製造
    3. 金属シリコンから高純度多結晶シリコンの製造
    4. 単結晶製造
    5. 円筒研削とオリフラ、ノッチ加工
    6. スライシング
    7. ベベリングとラッピング、ポリッシング
    8. エピタキシャル成長とSOI
    9. シリコンウェハの市場規模と日本のシェア
  3. 第3章 半導体の基礎物理
    1. シリコン結晶
    2. 半導体の導電形
    3. ドーパントの種類
    4. 半導体と周期律表
      • 演習問題1
  4. 第4章 半導体製造の前工程のポイント
    1. 基本プロセス
    2. 全体フロー
    3. バイポーラプロセスフロー概略
    4. CMOSプロセスフロー概略
    5. プロセスのパターン
      1. 不純物導入パターン
      2. 成膜のパターン
      3. 金属配線のパターン
      4. セルフアライメント
  5. 第5章 前工程
    1. フォトリソグラフィー工程
      1. フォトリソグラフィーとは
      2. フォトリソグラフィー工程の流れ
      3. レンズ系の解像力と焦点深度
      4. 露光用光源
        1. 超高圧水銀灯
        2. エキシマレーザー
        3. EUV光源
      5. 各種露光方式
      6. フォトレジスト
      7. レチクル (マスク) とペリクル
      8. 超解像
      9. 近接効果補正
      10. フォト工程の不良例
        • 演習問題2
    2. 洗浄工程とウェットエッチング工程
      1. ウェットプロセスの概要
      2. ウェットエッチング
    3. 酸化・拡散工程
      1. 目的と原理
      2. ドライ酸化とウェット酸化
      3. 酸化の法則
      4. その他の酸化
      5. 酸化・拡散装置
      6. 縦型拡散炉の特徴
      7. 選択酸化
      8. ランピング
      9. 測定装置
      10. 熱電対の種類
      11. 酸化膜の色と膜厚の関係
    4. イオン注入工程
      1. イオン注入の目的と原理
      2. イオン注入工程の概要
      3. イオン注入装置
      4. イオン注入装置の各部名称
      5. イオン注入で起こる問題
    5. CVD工程
      1. CVDの原理
      2. プラズマのまとめ
      3. 各種CVD
      4. CVD装置外観
      5. 減圧CVDとステップカバレッジ
      6. 原子層堆積 (ALD)
    6. スパッタ工程
      1. スパッタの原理
      2. 各種スパッタ法
    7. ドライエッチング工程
      1. ドライエッチングの原理と目的
      2. 等方性と異方性
      3. ドライエッチング工程の概要
      4. プラズマエッチングと反応性ドライエッチング
      5. ドライエッチングガス
      6. 反応性イオンエッチング
      7. ECRエッチング
      8. ケミカルドライエッチング
      9. アスペクト比
      10. 選択比
      11. ローディング効果
      12. 終点検出
    8. エピタキシャル成長
      1. エピタキシャル成長の基本
      2. ヘテロエピタキシャル成長
    9. CMP工程
      1. CMP工程概要
      2. 装置概要
      3. 各部名称と機能・目的
      4. CMP適用工程例
      5. CMP不良事例
    10. 電気検査
      1. はじめに
      2. ウェハテストとプローブ検査

受講料

  • 1名様: 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
  • 複数名: 25,000円(税別) / 27,500円(税込)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
案内および割引をご希望される方は、お申込みの際、「案内の希望 (割引適用)」の欄から案内方法をご選択ください。

「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。

  • R&D支援センターからの案内を希望する方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
  • R&D支援センターからの案内を希望しない方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)

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  • 配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
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  • 視聴期間は2026年6月25日〜7月8日を予定しております。
    ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
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