半導体デバイス・プロセス開発の実際 (2日間)

本セミナーでは、半導体産業全体を俯瞰し、半導体デバイス、プロセス、実装工程の実務、半導体プロセスの特徴・開発・製造方法、最先端半導体デバイスについて詳解いたします。

日時

2026年6月23日 10時30分〜 2026年6月23日 16時30分
2026年6月24日 10時30分〜 2026年6月24日 16時30分

開催予定

プログラム

半導体の基礎から製造・製品化までを、順を追ってわかりやすく学べるセミナーを開催します。スマートフォン、家電製品、自動車など、私たちの暮らしを支える半導体。その中心材料である「シリコン」を軸に、基礎知識から製造工程、製品化までを体系的に理解できる実務直結型講座です。　前編では、シリコンが広く使われる理由をはじめ、原料である珪石からウェハができるまでの流れ、半導体の基礎物理、さらにフォト、酸化・拡散、イオン注入、CVD、ドライエッチング、CMP、電気検査など、前工程の要点を丁寧に解説します。　後編では、後工程を中心に、クリーンルーム、超純水、真空・ガスなどのユーティリティ、信頼性評価、品質管理、安全衛生、最先端デバイス開発や設計自動化まで、幅広いテーマを取り上げます。写真や動画、液晶タブレットを使った画面への書き込み解説、演習問題も交えながら、単なる用語説明にとどまらず、各工程の目的・原理・装置・不良事例・管理の勘所を結びつけて理解できる内容です。　半導体について基礎から着実に学びたい方はもちろん、全体像を整理しながら、現場で役立つ実践的な理解を深めたい方に適した講座です。

前編 : 半導体デバイス・プロセス開発の実際〜前工程を中心に〜

(2026年6月23日 10:30〜16:30)

はじめに

第1章シリコンの基本
1. シリコンとは?
2. 今、なぜシリコンか?
3. 半導体材料物性比較
4. シリコンvs.化合物半導体
5. シリコン資源
第2章シリコンウェハ製造プロセス
1. 珪石とは?
2. 珪石から金属シリコンの製造
3. 金属シリコンから高純度多結晶シリコンの製造
4. 単結晶製造
5. 円筒研削とオリフラ、ノッチ加工
6. スライシング
7. ベベリングとラッピング、ポリッシング
8. エピタキシャル成長とSOI
9. シリコンウェハの市場規模と日本のシェア
第3章半導体の基礎物理
1. シリコン結晶
2. 半導体の導電形
3. ドーパントの種類
4. 半導体と周期律表
  - 演習問題1
第4章半導体製造の前工程のポイント
1. 基本プロセス
2. 全体フロー
3. バイポーラプロセスフロー概略
4. CMOSプロセスフロー概略
5. プロセスのパターン
  1. 不純物導入パターン
  2. 成膜のパターン
  3. 金属配線のパターン
  4. セルフアライメント
第5章前工程
1. フォトリソグラフィー工程
  1. フォトリソグラフィーとは
  2. フォトリソグラフィー工程の流れ
  3. レンズ系の解像力と焦点深度
  4. 露光用光源
    1. 超高圧水銀灯
    2. エキシマレーザー
    3. EUV光源
  5. 各種露光方式
  6. フォトレジスト
  7. レチクル (マスク) とペリクル
  8. 超解像
  9. 近接効果補正
  10. フォト工程の不良例
    - 演習問題2
2. 洗浄工程とウェットエッチング工程
  1. ウェットプロセスの概要
  2. ウェットエッチング
3. 酸化・拡散工程
  1. 目的と原理
  2. ドライ酸化とウェット酸化
  3. 酸化の法則
  4. その他の酸化
  5. 酸化・拡散装置
  6. 縦型拡散炉の特徴
  7. 選択酸化
  8. ランピング
  9. 測定装置
  10. 熱電対の種類
  11. 酸化膜の色と膜厚の関係
4. イオン注入工程
  1. イオン注入の目的と原理
  2. イオン注入工程の概要
  3. イオン注入装置
  4. イオン注入装置の各部名称
  5. イオン注入で起こる問題
5. CVD工程
  1. CVDの原理
  2. プラズマのまとめ
  3. 各種CVD
  4. CVD装置外観
  5. 減圧CVDとステップカバレッジ
  6. 原子層堆積 (ALD)
6. スパッタ工程
  1. スパッタの原理
  2. 各種スパッタ法
7. ドライエッチング工程
  1. ドライエッチングの原理と目的
  2. 等方性と異方性
  3. ドライエッチング工程の概要
  4. プラズマエッチングと反応性ドライエッチング
  5. ドライエッチングガス
  6. 反応性イオンエッチング
  7. ECRエッチング
  8. ケミカルドライエッチング
  9. アスペクト比
  10. 選択比
  11. ローディング効果
  12. 終点検出
8. エピタキシャル成長
  1. エピタキシャル成長の基本
  2. ヘテロエピタキシャル成長
9. CMP工程
  1. CMP工程概要
  2. 装置概要
  3. 各部名称と機能・目的
  4. CMP適用工程例
  5. CMP不良事例
10. 電気検査
  1. はじめに
  2. ウェハテストとプローブ検査

後編 : 半導体デバイス・プロセス開発の実際〜後工程および産業動向を中心に〜

(2026年6月24日 10:30〜16:30)

第6章後工程のポイントと全体の流れ
第7章ユーティリティ
1. クリーンルーム
  1. 防塵管理
  2. クリーンルームの方式
  3. HEPAフィルター、ULPAフィルター
  4. ミニエンバイロメント方式
  5. ウェハキャリア
  6. ケミカルフィルター
2. 超純水
  1. 超純水とは
  2. 超純水の品質
  3. 超純水製造装置
3. 真空機器、ガス
  1. 真空ポンプ
  2. 真空計
  3. 真空計と測定領域
  4. ヘリウムリークディテクタと四重極質量分析計
  5. マスフローコントローラ
  6. ボンベの塗色とガスの種類
第8章信頼性
1. 信頼性とは
2. 信頼性試験
3. バスタブカーブ
4. スクリーニングとバーンイン
5. 加速試験
6. 故障モード
  - 演習問題3
第9章品質管理と工程管理
1. QCの7つ道具
2. 問題解決とデータ処理の方法
  1. データの可視化
  2. K-T法
  3. t検定
3. シミュレーションを上手に使う
4. 正規分布
5. 標準偏差
6. 工程能力指数
第10章環境問題と安全衛生
1. 環境問題
2. 有機溶剤中毒予防規則
3. 消防法における危険物
4. 労働安全衛生関係法令
5. ハインリッヒの法則
第11章後工程
1. パッケージ
  1. ハーメチックパッケージと非ハーメチックパッケージ
  2. 各種パッケージ種類
2. バックグラインド工程
3. ダイシング工程
  1. ダイシング工程概要
  2. ダイシング基本方式3つ
  3. 高度なダイシングとデュアルダイサー
4. ダイボンディング工程
  1. ダイボンディングとは
  2. ダイボンディング方式
    1. 共晶接合
    2. 樹脂接合
    3. はんだ接合
  3. ダイボンディングテスト法
    1. 軟X線透視
    2. ダイシェアテスト
5. ワイヤボンディング工程
  1. 方式
  2. TS金線ワイヤボンディング
  3. アルミ線超音波ワイヤボンディング
  4. ワイヤボンディングテスト法
6. モールド成型工程
  1. モールドシーケンス
  2. フィラー
  3. シングルプランジャーとマルチプランジャー
  4. X線透視とワイヤ流れ
  5. PBGA
7. 外装メッキ工程
  1. 原理
  2. 自動メッキライン
8. フレーム切断、足曲げ工程
  1. フレーム切断
  2. リードカット
  3. 足曲げ
9. マーキング工程
  1. インクマーキングとレーザーマーキング
10. パッケージ電気検査
  1. テスタ
  2. ハンドラ
  3. ファイナルテスト
第12章半導体技術の特徴
1. 超バッチ処理
2. 歩留まりの概念
3. 特性の相対的均一性
4. 接続の高信頼性
5. TEG (Test Element Group) による開発
6. TAT (Turn Around Time) の長さ
7. 工場の稼働と固定費
8. 失敗例
第13章最先端デバイス、プロセス開発の必要性
1. 最先端デバイス、プロセスが必要な理由
2. 最先端プロセスの牽引役にならないデバイス
3. 最先端デバイスの実際
第14章回路セル設計と配置・配線の自動化とVHDL、Verilog-HDLによるシステム設計
第15章世界の中の日本製半導体製造装置と材料
第16章半導体技術の習得の仕方とこれからの半導体技術、半導体技術者に求められるもの
1. 断面フロー
2. たこつぼ
3. 個人の能力とチームの能力
4. データの分析方法をフルに活用する
  1. 検定による有意差の評価
  2. データの可視化
5. 中工程、チップレットの考え方
6. 必ずレシピ通りに行う適性

受講料

1名様: 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
複数名: 45,000円(税別) / 49,500円(税込)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
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「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 80,000円(税別) / 88,000円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 80,000円(税別) / 88,000円(税込)
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- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 200,000円(税別) / 220,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 300,000円(税別) / 330,000円(税込)

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