半導体用の微細加工用に適用されるフォトレジストは、半導体の黎明期には、数十um程度であったモノが、半導体素子の高性能化に伴い、昨今では、数nm レベルの加工に至っている。また、フォトレジストが、ディスプレイ、車載デバイス、通信デバイスに適用されるようになり、その使用法と要求特性は微細化のみならず、多様性を極めている。
特に、シンギュラリティの実現に伴い、今後必要とされる高性能な5感センサー、ソフトロボトロニクス、高速 (移動) 通信用のデバイスにおいては、従来のアプリケーション向けフォトレジストとは、更に特殊な要求が求められる事となっている。
今回の講演では、フォトレジストに求められる要求特性とそれを達成するための材料設計をメインにフォトレジストとはどういうモノであるかについて具体的に紹介する。
- フォトレジスト材料
- フォトレジストとは
- 光化学反応に基づく4つのカテゴリー
- 露光波長毎のポジ型フォトレジスト原料構造と光化学反応
- G〜I線露光
- KrF 露光
- ArF 露光
- EUV 露光
- G〜I線露光用ポジ型フォトレジスト原料の構造とレジスト設計
- G〜I線露光用ポジ型フォトレジスト原料構成
- ノボラック樹脂の合成方法と構造特性
- バラスト化合物と感光材の構造特性
- 各種添加剤の構造特性 (増感剤、界面活性剤)
- 溶剤の構造特性
- フォトレジストのパターニングプロセスと性能影響因子
- 基板
- 塗布
- プリベーク
- 露光
- マスク
- PEB
- 現像・リンス
- ポストベーク
- フォトレジストのパターニング後の耐性評価
- ウェットエッチング
- ドライエッチング
- イオンインプラ
- めっき
- リフトオフ
- 犠牲層・構造化
- フォトレジストのトラブルシューティング
- フォトレジストが適用されるアプリケーション
- 半導体
- パワーモジュール (車載・エナジーハーベスト)
- MEMS 五感センサー
- 次世代高速移動通信Beyond5G/6G
- 光デバイス
- アプリケーションの進化に伴いこれから求められるフォトレジスト予想
- 事前に頂いたフォトレジストに関するお悩み相談室
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