昨今 “AI” の言葉を聞かない日は無い。AIは生成AIになり、画像生成AI、音声・動画生成AI、そしてPhysical AI (ロボットに搭載される) へと進んでいる。5G (通信) は様々な業界で利用されている。その次の技術である6Gは生成AIと更に一体化しサイバー空間と現実世界 (フィジカル空間) との融合を目指している。自動運転はADAS (人が主体) のレベル1からレベル2、そしてAD (システムが主体) のレベル3からレベル4、レベル5へと進もうとしている。自動運転レベル4〜5実現には、電気自動車・ハイブリッド車、EV・HVの台頭で、大電力と電子制御装置 (ECU: Electronic Control Unit) の高温環境といった特有の要求が起こってきている。AI・6G・EV・HVの融合時代の到来である。受動部品の代表である積層セラミックスコンデンサー(MLCC) はAI・6G・EV・HVに対応すべく小型・大容量・高性能・省電力・高信頼化が進んできた。特に、Ni内電MLCCはNi金属の低コスト化を特徴にして大容量・高性能・省電力・高信頼化が急速に進んだ。2024年7月、生成人工知能AIサーバー向けの半導体チップ搭載に1608タイプ (1.6×0.8mm) の100μFの大容量MLCCの量産が発表された。
当講座では “ AI時代に求められる積層セラミックコンデンサ (MLCC) の材料・技術動向” を中心に幅広く、且つ詳細に解説を行う。
- AIと生成AIの違い
- 画像生成AI
- 音声・動画生成AI
- Physical AI
- AIサーバー用大容量MLCCの必要性
- 自動運転レベルの違い
- Vehicle to X (V2X)
- 自動車と自動車
- 自動車とインフラ
- 自動車と歩行者
- 自動車とネットワーク
- 車載用セラミックスコンデンサ
- 民生用/車載用MLCCサイズの変遷/MLCCの温度特性:車載用/生成AI
- コンデンサのDC電圧依存性 (Class1vsClass2) MLCCの温度特性/DC特性/温度上昇)
- AIサーバー時代の電圧規格の拡大
- スマートホンに搭載される電子部品の個数 / 自動車に搭載されるMLCCの個数の変遷
- ムーアの法則は生きているか、そろそろ飽和? ロジック半導体の微細化、ムーアの法則は生きている
- MLCCの世界ランキングと市場、MLCC事情、MLCCの世界ランキング
- Ni-MLCCの商用化で IEEE Milestone賞を受賞
- MLCCをLCR等価回路で考えると、低ESLコンデンサの利用、Lキャンセルトランス、ノイズ対策、近傍アンテナ間のノイズ対策、何故ノイズが消える
- MLCC材料から見たBaTiO3+希土類+アクセプタ+固溶制御材+焼結助剤の歴史
- AIサイバー用100μF実現の為に
- MLCCの小型化
- 容量密度の進化
- 誘電体層薄層化の進化
- MLCCの進展方向、小型化、大容量、高信頼性、自動車用コンデンサの要求性能
- Ni-MLCCの製造プロセス、グリーンシートの技術動向
- 高信頼性MLCCに必要なこと、微小粒径、コア・シェル構造の利点
- BaTiO3の誘電率のサイズ効果/小型・大容量化の課題、コアシェル構造の効用
- 固相反応によるBaTiO3 の反応メカニズム
- 水蒸気固相反応法、水を介してBaTiO3の低温反応/水で加速する室温固相反応 (BaTiO3) / Cold sintering は実用化
- 粉砕と分散とは、メデイアのサイズ、メデイアの材質
- RFプラズマ法による複合ナノ粒子合成
- 分級、MLCCの内電Ni粒子に最も重要な技術/Niナノ粒子の作り方 (分級の役割)
- MLCCでもう一つ重要な要素、内部電極と外部電極
- 高積層・高容量MLCCのためのNi内部電極用Ni微粒子
- 供材の効果 (Ni電極と誘電体の線膨張係数差を如何に少なくする)
- 2段焼成法のNi内部電極の効果、カバーレッジの向上
- Ni内部電極の成形メカニズム (膜断面の観察、Ni内部電極の連続性 (カバーレッジ) 向上のメカニズム
- 熱プラズマNi微粒子の合成、粒度分布、表面不活性、
- Ni電極への添加効果 (Ni-Cr、Ni-Sn) 、Ni-Sn内電MLCCの特性、Ni-Sn内電MLCCの特性、Ni-In内電MLCCの特性
- 積層セラミックスコンデンサ (MLCC) の信頼性/BaTiO3の絶縁性
- 絶縁破壊と絶縁劣化/BaTiO3の絶縁性を上げるための添加物の役割
- 置換サイトの基本は絶縁性、BaTiO3のどのサイトに入る、置換サイトの同定法
- MLCCの絶縁劣化メカニズム/絶縁抵抗:時間、HALT結果
- コア・シェル構造の絶縁抵抗依存性/Cu、Sn固溶Ni-MLCCの絶縁抵抗時間変化
- 誘電体の導電メカニズムの分類/薄膜、MLCCのリーク電流依存性
- ショットキー電流とプールフランケル電流/Cu-MLCCとNi-MLCCの特性の違い
- 劣化時のリーク電流の変化について/酸素欠陥評価法
- 交流インピーダンス、等価回路法による評価、MLCC、SOFCに適用
- 酸素欠陥 (熱刺激電流) による酸素欠陥の評価
- 酸素欠陥 (ラマン法) による酸素欠陥の評価
- セラミック/内部電極界面、粒内、粒界を流れる電流、JE特性による分類
- まとめ
- 質疑応答
複数名同時受講割引について
- 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 40,000円(税別) / 44,000円(税込) で受講いただけます。
- 5名様以降は、1名あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 80,000円(税別) / 88,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 120,000円(税別) / 132,000円(税込)
- 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 160,000円(税別) / 176,000円(税込)
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