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シリコン系光導波路とフォトニクスデバイス集積技術の開発

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本セミナーでは、光導波路について取り上げ、講師の過去20年間に渡る技術動向調査を基に、基礎的な素子動作原理から最先端技術、現在の諸課題について解説いたします。

日時

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プログラム

シリコンフォトニクス技術と呼ばれる、シリコン系光導波路素子によるモノリシック/ハイブリッド集積や実装技術は、基礎的な研究フェーズから、産業展開へと続く実用化フェーズへ移行しており、市場規模は著しい成長を続けている。しかしながら、更に高密度・高性能な光集積回路を実現に向けて、解決すべき技術課題は依然として多く存在するため、新たなブレークスルーが求められる。 　本セミナーでは過去20年間に渡る技術動向調査を基にした、基礎的な素子動作原理から最先端技術について解説を行った上で、現在の諸課題について議論を行う。

  1. 光導波構造の基礎と高集積光導波路材料
    1. 光導波構造の基礎と各種導波路材料比較
  2. シリコンフォトニクス単体素子の動作原理と特徴およびポイント
    1. パッシブ光デバイス
      1. 導波路
      2. 分岐/結合
      3. 光入出力結合
      4. 波長フィルタ
      5. 偏波操作
    2. 光変調器
      1. Si変調器
      2. III-V族変調器
      3. LN変調器
      4. EOポリマー変調器
    3. 受光器
      1. Ge受光器
      2. III-V受光器
    4. レーザー光源
      1. Ge光源
      2. III-V光源
  3. シリコンフォトニクス集積素子技術とハイブリッド集積技術の応用
    1. ムーアの法則と集積フォトニクスデバイスの応用
    2. CMOS互換モノリシック集積技術
    3. 異種材料を活用したハイブリッド集積技術
      1. Wafer-on-Wafer (WoW) 接合
      2. Chip-on-Wafer (CoW) 接合
      3. Micro-Transfer Printing (MTP) 接合
    4. 光チップレット、2.5/三次元実装、Co-Packaged Optics技術
    5. シリコンフォトニクスファウンドリーサービス

受講料

  • 1名様: 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
  • 複数名: 22,500円(税別) / 24,750円(税込)

案内割引・複数名同時申込割引について

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「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 42,000円(税別) / 46,200円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。

  • R&D支援センターからの案内を希望する方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,000円(税別) / 46,200円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
  • R&D支援センターからの案内を希望しない方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)

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  • 当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
  • 配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
  • 視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
  • 視聴期間は2026年5月28日〜6月4日を予定しております。
    ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
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