シリコン系光導波路とフォトニクスデバイス集積技術の開発

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本セミナーでは、光導波路について取り上げ、講師の過去20年間に渡る技術動向調査を基に、基礎的な素子動作原理から最先端技術、現在の諸課題について解説いたします。

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プログラム

シリコンフォトニクス技術と呼ばれる、シリコン系光導波路素子によるモノリシック/ハイブリッド集積や実装技術は、基礎的な研究フェーズから、産業展開へと続く実用化フェーズへ移行しており、市場規模は著しい成長を続けている。しかしながら、更に高密度・高性能な光集積回路を実現に向けて、解決すべき技術課題は依然として多く存在するため、新たなブレークスルーが求められる。  本セミナーでは過去20年間に渡る技術動向調査を基にした、基礎的な素子動作原理から最先端技術について解説を行った上で、現在の諸課題について議論を行う。

  1. 光導波構造の基礎と高集積光導波路材料
    1. 光導波構造の基礎と各種導波路材料比較
  2. シリコンフォトニクス単体素子の動作原理と特徴およびポイント
    1. パッシブ光デバイス
      1. 導波路
      2. 分岐/結合
      3. 光入出力結合
      4. 波長フィルタ
      5. 偏波操作
    2. 光変調器
      1. Si変調器
      2. III-V族変調器
      3. LN変調器
      4. EOポリマー変調器
    3. 受光器
      1. Ge受光器
      2. III-V受光器
    4. レーザー光源
      1. Ge光源
      2. III-V光源
  3. シリコンフォトニクス集積素子技術とハイブリッド集積技術の応用
    1. ムーアの法則と集積フォトニクスデバイスの応用
    2. CMOS互換モノリシック集積技術
    3. 異種材料を活用したハイブリッド集積技術
      1. Wafer-on-Wafer (WoW) 接合
      2. Chip-on-Wafer (CoW) 接合
      3. Micro-Transfer Printing (MTP) 接合
    4. 光チップレット、2.5/三次元実装、Co-Packaged Optics技術
    5. シリコンフォトニクスファウンドリーサービス

受講料

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