HfO2系強誘電体の基礎と半導体デバイス応用

セミナーに申し込む
オンライン 開催

本セミナーでは、強誘電体の基礎とHfO2系強誘電体の特徴、半導体メモリの動作原理、HfO2系強誘電体の応用について詳解いたします。

日時

開催予定

プログラム

半導体集積回路の高性能化、高集積化、三次元化が進む中で、近年HfO2系強誘電体材料のエレクトロニクス応用が注目されている。  本セミナーでは、最初に強誘電体の基礎とHfO2系強誘電体材料の特徴について解説する。次にエレクトロニクス応用について、キャパシタ型とトランジスタ型不揮発性メモリの動作原理を解説し、使用する強誘電体に要求される物性について議論する。次にHfO2系強誘電体薄膜の作製例、デバイス応用例を紹介し、最後に不揮発性メモリ以外の応用展開について述べる。

  1. 強誘電体の基礎
    1. 強誘電体の電気的特性
    2. 分極反転機構
  2. 強誘電体の不揮発性メモリ応用
    1. 半導体メモリの基本構成
    2. キャパシタ型およびトランジスタ型強誘電体メモリの動作原理
    3. 強誘電体に要求される物性
  3. HfO2系強誘電体
    1. 歴史的背景
    2. 従来の強誘電体材料との比較
    3. CMOSプロセスとの親和性
  4. HfO2系系系強誘電体薄膜の作製と特性例
    1. HfO2系強誘電体薄膜の作製手法
    2. 結晶相制御の重要性
  5. HfO2系強誘電体のデバイス応用例
    1. 強誘電体ゲートトランジスタ
  6. 不揮発性メモリ以外の応用展開への期待
    1. 負性容量を用いたスティープスロープトランジスタ
    2. ニューロモルフィックコンピューティングへの応用

受講料

複数名受講割引

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

ライブ配信セミナーについて