本セミナーでは、強誘電体の基礎とHfO2系強誘電体の特徴、半導体メモリの動作原理、HfO2系強誘電体の応用について詳解いたします。
日時
- 2026年4月20日 13時00分〜 2026年4月20日 16時30分
中止
プログラム
半導体集積回路の高性能化、高集積化、三次元化が進む中で、近年HfO2系強誘電体材料のエレクトロニクス応用が注目されている。 本セミナーでは、最初に強誘電体の基礎とHfO2系強誘電体材料の特徴について解説する。次にエレクトロニクス応用について、キャパシタ型とトランジスタ型不揮発性メモリの動作原理を解説し、使用する強誘電体に要求される物性について議論する。次にHfO2系強誘電体薄膜の作製例、デバイス応用例を紹介し、最後に不揮発性メモリ以外の応用展開について述べる。
- 強誘電体の基礎
- 強誘電体の電気的特性
- 分極反転機構
- 強誘電体の不揮発性メモリ応用
- 半導体メモリの基本構成
- キャパシタ型およびトランジスタ型強誘電体メモリの動作原理
- 強誘電体に要求される物性
- HfO2系強誘電体
- 歴史的背景
- 従来の強誘電体材料との比較
- CMOSプロセスとの親和性
- HfO2系系系強誘電体薄膜の作製と特性例
- HfO2系強誘電体薄膜の作製手法
- 結晶相制御の重要性
- HfO2系強誘電体のデバイス応用例
- 強誘電体ゲートトランジスタ
- 不揮発性メモリ以外の応用展開への期待
- 負性容量を用いたスティープスロープトランジスタ
- ニューロモルフィックコンピューティングへの応用
- 質疑応答
受講料
- 1名様: 34,400円(税別) / 37,840円(税込)
- 複数名: 22,500円(税別) / 24,750円(税込)
複数名受講割引
- 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 34,400円(税別) / 37,840円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
- 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 請求書は、代表者にご送付いたします。
- 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。 - 他の割引は併用できません。
- サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。
アカデミー割引
教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。
- 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
- 企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
- お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。
ライブ配信セミナーについて
- 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
- お申し込み前に、 Zoomのシステム要件 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
- 開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
- セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
- セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
- ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
- タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
- ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
- 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
- Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。