ガラスコア基板の最新動向とビア充填プロセスの開発、割れ・反りの抑制

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本セミナーでは、ガラスコア基板について取り上げ、めっき処理の難密着性、ガラスの割れや反りなど製造・実装プロセスにおける課題と対策を詳解いたします。

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プログラム

第1部 めっきプライマーのガラス貫通基板への適用

(2026年5月19日 11:00〜12:00)

 半導体基板のサブストレート、インターポーザーとしてガラスへの代替が有望視されている。  ガラスへの導電化方法が各種提案されており、現行技術の課題とめっきプライマーの優位性について紹介する。

  1. めっきプライマーについて
    1. めっきプライマーの利点
    2. 無電解めっき工程を短縮
    3. 様々な材料に高密着
    4. 部分めっきが容易
    5. 基材の表面平滑性を損なわない
  2. ガラスコアについて
    1. なぜガラス基板か?
    2. 国内のガラスコア開発動向
    3. 国外のガラスコア開発動向
    4. 各メーカーの開発進捗度と課題
    5. 課題解決に求められる特性
  3. めっきプライマーのガラスへの適用
    1. めっきプライマーガラスへの密着メカニズム
    2. アニールレスめっきを実現するハイブリッド型プライマー
    3. 密着性、信頼性、各種物性
    4. ガラス貫通基板への適用
  4. ガラス周辺技術への応用
    1. 高速伝送、beyond5G
    2. 部品内蔵基板
    3. ハイブリッドボンディング
    4. 光電融合

第2部 TGV (ガラスコア基板) への焼結Cuペーストの適用

(2026年5月19日 13:00〜14:00)

  1. 焼結Cuペーストの適用アイテム
  2. 焼結Cuペーストのビアへの充填方法
  3. 焼結Cuペーストの焼結性
  4. TGVへの焼結Cuペーストの適用
    1. 焼結Cuペースト vs. 電解銅めっき
    2. 高アスペクト比ビアへの充填性
    3. TGV基板の作製と信頼性評価
    4. 焼結Cuペーストによるガラスクラック抑制効果
    5. 510×515 mm基板への焼結Cuペースト充填方法および対応設備
  5. まとめ

第3部 ガラスコア・インターポーザ向け湿式銅めっきプロセス

(2026年5月19日 14:15〜15:15)

 ガラスコアやガラスインターポーザーの市場における需要が高まりつつある中、製品確立の重要な要素技術の一つである、シード層〜TGVフィリングプロセスの工法例をご紹介します。他工法との比較もありますので、プロセスご検討の一助になれば幸いです。

  1. 開発の背景
    1. マーケットニーズ
    2. 湿式プロセスの利点
  2. 密着増強プロセス
    1. プロセスフロー
    2. 密着増強メカニズム
    3. 評価結果
    4. 使用する設備
  3. TGVフィリングプロセス
    1. 工法比較
    2. 試験結果

第4部 ガラスコア基板の設計、開発と大面積化、信頼性評価、実装の課題

(2026年5月19日 15:30〜16:30)

 生成AIの急速な普及により、AIデータサーバーにはこれまでにない高演算性能と低消費電力の両立が求められています。特に、XPU+HBMによる大規模チップレット化や、パッケージ内へのCPO (Co-Packaged Optics) の混載は不可避となり、パッケージは今後200mm級へと大型化することが予測されています。  このような背景のもと、従来の有機コア基板では反り制御や電力供給能力に限界があり、ガラスコア基板を中心とした次世代パッケージ技術が注目されています。

本講演では、

について、シミュレーションおよび実証データを交えて体系的に解説します。

  1. AIサーバー市場と技術背景
    1. AIデータサーバーの進化と電力課題
    2. XPU+HBMチップレット構成の拡大
    3. CPO混載が必要となる理由
    4. パッケージサイズ拡大の将来予測
  2. 大型パッケージと反り制御
    1. 200mm級パッケージの構造課題
    2. 有機コア基板の限界
    3. ガラスコア基板の材料特性
    4. CTEと弾性率が反りに与える影響
    5. JEITA反り規格と設計マージン
    6. 反りシミュレーション手法
  3. 電源供給とTGV設計
    1. 半導体ノード進化と要求パワーデンシティ
    2. パッケージレベルの電源供給課題
    3. TGV構造と電流密度分布
    4. Via断面積と最大電流の関係
    5. マルチTGV構造の設計指針
    6. 微細ピッチTGV製造技術
  4. 微細RDLと信頼性設計
    1. 2/2μm級微細配線の課題
    2. 配線断面積と挿入損失の関係
    3. 無機被覆Cu配線の構造
    4. エレクトロマイグレーション試験結果
    5. Black式による寿命評価
  5. 高速伝送設計 (XPU-CPO)
    1. 高速RDLアーキテクチャ設計
    2. 70GHz/100GHz帯の伝送特性
    3. 挿入損失低減設計のポイント
    4. AIチップレット-CPO間リンク設計
  6. 実証と信頼性評価
    1. 300×400mmパネル実装実証
    2. 160×160mm RDL構造試作
    3. TGV完全Cu充填技術
    4. TST・HAST試験条件
    5. SEWARE発生メカニズム
    6. バッファ層の効果と設計重要性

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