AIデータセンターへ向けたパワー半導体の開発動向と実装技術、課題

第1部 SiC/GaNデバイスの開発動向とデータセンター/xEVなどへの応用展望

(2026年4月17日 10:30〜12:00)

　2026年現在、AI・クラウド・IoTの急速な普及により、データセンターの電力消費と処理密度はかつてないほどの高水準に達していると言われている。この消費電力削減のためには電源アーキテクチャの革新をもたらす省電力技術が必要不可欠であり、それを実現するための切り札の一つとして、新材料GaN (窒化ガリウム) パワー半導体デバイスの普及が期待されている。一方、xEV向けではSiC市場が踊り場にある中でも、高耐圧・低損失特性により車載インバータ等での採用が徐々に進んでいる。しかしながらGaNパワー半導体デバイスが得意とする電力容量・周波数領域ではシリコンMOSFETが、またSiCが得意な大容量用途ではIGBTが、まだまだ主役として君臨している。 　本セミナーでは、最強のライバルであるシリコンMOSFET、IGBTからSiC/GaNパワー半導体デバイスの開発技術の現状と今後の動向について、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

1. パワーデバイスの動向と開発のポイント
   1. パワーデバイスの適用分野
      • データセンター・サーバーへの実装
      • EV / PHV
   2. 次世代パワーデバイス開発の位置づけ
2. 競合するシリコンパワーデバイス最新技術動向
   1. パワー半導体デバイス市場の現在と将来
   2. MOSFET特性改善を支える技術
   3. IGBT特性改善次の一手
3. SiCパワーデバイスの現状と課題
   1. SiC-MOSFET普及拡大のための4つの課題
   2. 特性改善・信頼性向上
   3. 実装技術の動向
4. GaNパワーデバイスの現状と課題
   1. GaN-HEMTの特徴と課題
   2. GaN-HEMTの最新技術 (高耐圧化)
   3. 縦型GaNデバイスの最新動向
5. まとめ
• 質疑応答

第2部 縦型GaNデバイスの真の社会実装に向けたQST x CFBによる新技術

(2026年4月17日 13:10〜14:10)

　カーボンニュートラル達成に向け、次世代パワー半導体は成長市場として注目されており、中でも縦型GaNパワーデバイスは、高い性能ポテンシャルのため期待されております。しかし、普及には課題があります。 　本セミナーでは、縦GaNの普及課題を明確化し、信越化学様のQST基板とOKIのCFB技術の共創による、縦型GaNの普及に向けた新技術をご紹介いたします。

1. 次世代パワー半導体の動向
   1. 取り巻く環境
   2. 市場動向
   3. GaNの高い性能ポテンシャル
   4. GaNの課題
2. QSTの紹介
   1. QST基板構造と特長
   2. 驚異的な特性の実現
   3. 普及可能な大口径化の実現
   4. GaNデバイス実績とCFBとの親和性
3. CFBの紹介
   1. 歴史
   2. 量産実績
   3. 技術概要
   4. ビジネスモデル
4. QST x CFBの課題解決
   1. 縦型GaNの課題解決
   2. 縦型GaNのプロセス提案
• 質疑応答

第3部 パワー半導体銀焼結接合における機械信頼性と銅粒子添加の効果

(2026年4月17日 14:30〜16:00)

　パワー半導体素子のダイボンディングとして期待されるナノ銀焼結接合について、現状の技術課題に加え、銅ならびに酸化銅微粒子を混入させた場合の技術的利点などを実験結果とともに紹介する。

1. パワー半導体接合の現状と課題
2. ナノ銀焼結接合
   1. ナノ銀ペースト
   2. ナノ銀焼結膜の機械信頼性
   3. SiCダイアタッチの熱機械信頼性
   4. ナノ銀焼結膜の破壊メカニズム
3. 銅粒子添加ナノ銀焼結接合
   1. 銅粒子含有ナノ銀ペースト
   2. 銅粒子添加の効果
4. 酸化銅ナノ粒子添加ナノ銀焼結接合
   1. 酸化銅ナノ粒子の合成
   2. 酸化銅ナノ粒子添加の効果
5. まとめ
• 質疑応答