本セミナーでは、実用化が進むSiCパワーデバイスを使いこなすための素子の特性、ノイズ対策例に触れながら、インバータ回路設計の基礎を徹底解説いたします。
近年,SiCやGaNなど次世代パワーデバイスは,研究段階から実用段階へ突入した。数10Aクラスのデバイスは,かなりの個数がサンプル出荷され,モータドライブなどのアプリケーションエンジニアの手で評価されつつある。 本セミナでは,市販1200V33A SiC-MOSFET をベースにした三相200V5kVAのインバータの諸特性として,パワーデバイスの動特性やゲートドライブおよび主回路構成から,効率特性,EMIノイズ特性,および,ノイズ対策例まで横断的に解説する。