本セミナーでは、実用化が進むSiCパワーデバイスを使いこなすための素子の特性、ノイズ対策例に触れながら、インバータ回路設計の基礎を徹底解説いたします。
日時
- 2012年11月19日 10時30分〜 2012年11月19日 16時30分
開催予定
プログラム
近年,SiCやGaNなど次世代パワーデバイスは,研究段階から実用段階へ突入した。数10Aクラスのデバイスは,かなりの個数がサンプル出荷され,モータドライブなどのアプリケーションエンジニアの手で評価されつつある。 本セミナでは,市販1200V33A SiC-MOSFET をベースにした三相200V5kVAのインバータの諸特性として,パワーデバイスの動特性やゲートドライブおよび主回路構成から,効率特性,EMIノイズ特性,および,ノイズ対策例まで横断的に解説する。
- SiCインバータの基礎特性
- SiCデバイスの特性
- スイッチング特性
- 効率特性
- EMIノイズ特性
- SiCインバータの構成法
- ゲートドライブの構成
- 主回路の構成
- EMIノイズ対策
- 質疑応答
会場
受講料
- 1名様: 42,667円(税別) / 46,933円(税込)
- 複数名: 35,667円(税別) / 39,233円(税込)
複数名同時受講の割引特典について
- 2名で参加の場合、1名につき 7,350円割引
- 3名で参加の場合、1名につき 10,500円割引 (同一法人に限ります)