2026年、世界はAIデータセンター電源の高効率・大容量化と、自動車電動化 (xEV) の再加速に向けて大きく動いている。AIサーバ電源やxEVの性能を左右する中核部品であるパワーデバイスでは、SiC・GaNデバイスが次世代の本命として急速に存在感を高めている。すでに実機搭載も進みつつあり、今後はシリコンMOSFET・IGBTをどこまで凌駕できるかが焦点となる。
鍵を握るのは、性能・信頼性・コストという三要素に対し、新材料デバイスがどのように市場要求へ応えていくかである。本セミナーでは、SiC/GaN技術の現状と今後の動向を整理し、さらに注目を集める酸化ガリウム (Ga2O3) デバイスの可能性、実装技術、そして市場予測までを、わかりやすくかつ丁寧に解説する。
- パワーエレクトロニクス (パワーエレクトロニクス) とはなに?
- パワーエレクトロニクス&パワーデバイスの仕事
- パワー半導体の種類と基本構造
- パワーデバイスの適用分野
- AIデーターサーバ電源、xEV向けパワーデバイス最近のトピックス
- シリコンMOSFET・IGBTの伸長
- ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
- パワーデバイス開発のポイント
- 最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
- パワーデバイス市場の現在と将来
- MOSFET特性改善を支える技術
- IGBT特性改善を支える技術
- IGBT薄ウェハ化の限界
- MOSFET・IGBT特性改善の次の一手
- シリコンIGBTの実装技術
- SiCパワーデバイスの現状と課題
- 半導体デバイス材料の変遷
- ワイドバンドギャップ半導体とは?
- なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
- 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか?
- SiC-MOSFETの勝ち筋
- SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
- SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
- 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
- SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
- 内蔵ダイオード信頼性向上技術
- GaNパワーデバイスの現状と課題
- なぜGaNパワーデバイスなのか?
- GaNデバイスの構造
- SiCとGaNデバイスの狙う市場
- GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
- GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
- GaN-HEMTの最新技術動向 (高耐圧化へ向けて)
- 縦型GaNデバイスの最新動向
- 酸化ガリウムパワーデバイスの現状
- 酸化ガリウムの特徴は何
- 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況
- SiCパワーデバイス実装技術の進展
- SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
- 銀または銅焼結接合技術
- SiC-MOSFETモジュール技術
- まとめ
複数名受講割引
- 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
- 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 請求書は、代表者にご送付いたします。
- 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
- 他の割引は併用できません。
- サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。
アカデミー割引
教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。
- 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
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- お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。
ライブ配信セミナーについて
- 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
- お申し込み前に、 Zoomのシステム要件 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
- 開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
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