脱炭素社会の実現に向け、電力変換効率を高めるパワー半導体技術が注目されている。
本セミナーでは、AIデータセンターの電源効率化に貢献するGaNデバイスの最新動向と、EV市場にて期待されるSiCデバイスの技術革新を中心に解説する。特にGaNは高周波・高効率動作に優れ、次世代電源設計に不可欠な要素である。一方、EV向けSiCは市場が踊り場にある中でも、高耐圧・低損失特性により車載インバータ等での採用が進んでいる。しかし現状では、依然としてシリコンパワーデバイスが主役に君臨している。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスに代表される次世代パワーデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強の競合相手であるシリコンパワーデバイスからSiC/GaNをはじめとした新材料パワーデバイス開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。
- パワーエレクトロニクス (パワーエレクトロニクス) 、パワーデバイスとは何?
- パワーエレクトロニクス&パワーデバイスの仕事
- パワーデバイスの種類と基本構造
- パワーデバイスの適用分野
- 次世代パワーデバイス開発の位置づけ
- シリコンパワーデバイスの現状と課題
- パワー半導体デバイス市場の現在と将来
- MOSFET特性改善を支える技術
- 低耐圧MOSFET
- 高耐圧MOSFET
- IGBT特性改善を支える技術
- IGBT特性改善の次の一手
- SiCパワーデバイスの現状と課題
- 半導体デバイス材料の変遷
- ワイドバンドギャップ半導体材料はなぜパワーデバイスに適している理由
- なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
- 各企業はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか?
- SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
- SiC-MOSFETコストダウンのための技術開発
- 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
- 最新SiC-MOSFET低オン抵抗化技術
- SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
- 内蔵ダイオード信頼性向上技術
- GaNパワーデバイスの現状と課題
- GaNパワーデバイスの特徴はなにか?
- SiCとGaNデバイスの狙う市場
- GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
- ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
- GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
- 最近のGaN-HEMTの進展
- 縦型GaNデバイスの最新動向
- 酸化ガリウム・ダイヤモンドパワーデバイスの現状
- 酸化ガリウムとその特徴
- 酸化ガリウムパワーデバイス最新開発状況
- ダイヤモンドパワーデバイス開発状況
- SiCパワーデバイス高温対応実装技術
- SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
- 配線のインダクタンスを低減したパッケージ
- 接合材について
- 銀または銅焼結接合技術
- SiC-MOSFETモジュール技術
- まとめ
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- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 144,000円(税別) / 158,400円(税込)
- 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 192,000円(税別) / 211,200円(税込)
- 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 240,000円(税別) / 264,000円(税込)
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