パワーデバイスの基礎物性から最新のSiCとGaN特性、回路適用までを一日で学ぶ

本セミナーーでは、パワーデバイスを回路に組込むために必要なデバイス選定手法・設計法、パワーデバイスを駆動するためのトリガー回路の設計手法、パワーデバイスをパワーエレクトロニクス回路に組込むのに役立つデバイス特性の基本式、半導体物性からパワーデバイスを実際の回路に組込むまでの一連の知識について詳解いたします。

日時

プログラム

自動車の電動化、サーバー用電源のキー部品としてパワーデバイスが注目されています。現状のSiデバイスより省エネ性に優れたSiCやGaNといった革新的なデバイスの実用化も急速に進んでいます。こうしたパワーデバイスの活用には、基礎物性からデバイス構造、実回路への組込みまでの総合的理解が必要です。　本セミナーでは、半導体の基礎物性から説明を始め、Siパワーデバイスが持つ高耐圧、省エネ性をデバイス構造と基礎物性から明らかにします。さらに、新型デバイスSiCとGaNの高速スイッチング、高温体耐性、高耐圧低抵抗について、材料特性と基礎物性から定量的に説明します。総合的理解の最後に、実回路で使用するために必要なデバイスの選定と回路設計、デバイス損失と熱計算、駆動用のトリガー回路について解説します。限られた時間を有効活用するため、セミナーでは重要項目には演習問題を加え、理解が深まるよう構成されています。

パワーデバイスの最新動向
1. 自動車の電動化を支えるパワーデバイス
2. 鉄道から自動車への展開が進むSiCデバイス
3. サーバー用パワーデバイスとして脚光を浴びるGaNデバイス
4. NEDOプロジェクト SiC、環境省プロジェクト GaN
パワーデバイスの物性
1. エネルギー準位とバンドギャップ【演習】
2. 真正半導体、p型、n型半導体
3. キャリア密度【演習】
4. 移動度、比抵抗
パワーデバイスの構造と特性
1. ダイオードと高耐圧化
2. MOSFETの動作特性【演習】
3. 縦型MOSFET
4. IGBTとパワートランジスタ
5. IGBTの動作特性
注目される新デバイSiCとGaN (ワイドギャップ半導体)
1. ワイドギャップ半導体
2. ワイドギャップ半導体の物性
  1. 高速スイッチング特性
  2. 高温での動作特性
  3. 高耐圧で低オン抵抗【演習】
3. Siデバイスとの比較
パワーデバイスを回路に組込み
1. 回路に適したデバイス選定・設計
2. デバイスの損失と放熱設計【演習】
3. トリガー回路

受講料

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
案内および割引をご希望される方は、お申込みの際、「案内の希望 (割引適用)」の欄から案内方法をご選択ください。

「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)

アーカイブ配信セミナー

当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
視聴期間は2026年2月26日〜3月5日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
セミナー資料は別途、送付いたします。