本セミナーでは、薄膜堆積やドライエッチングなどの半導体プロセスに用いられるプラズマの生成機構や特徴について解説いたします。
また、プラズマCVDやドライエッチングの原理、装置の構造、処理条件の最適化法など解説いたします。
日時
- 2026年3月13日 13時00分〜 2026年3月23日 16時30分
開催予定
プログラム
プラズマはLSIをはじめとした半導体デバイスを作製する上で、必須のツールになっています。しかし、半導体プロセスに用いられるプラズマの原理や基礎について系統的に学ぶ機会は少ないと思います。今後も半導体製造プロセスにプラズマを利用して最先端のデバイスを生産していくためには、その物理的な考え方、特徴の基礎を理解することが不可欠になります。 そこで、本講座では、まず前半で薄膜堆積やエッチングに用いられるプラズマ (非平衡プラズマと呼ばれる) の特徴や生成機構について解説します。後半ではそれらを踏まえ、プラズマCVDやドライエッチングの特徴、原理、装置の構造、処理条件の最適化法などについて解説します。
- プラズマの基礎
- プラズマとは
- 気体分子運動論の基礎
- 電子-分子の衝突反応の種類と基礎理論
- プラズマの基礎方程式
- 拡散方程式
- 連続の式など
- 両極性拡散理論を用いた基礎方程式の単純化
- プラズマの生成と特性
- 直流放電プラズマ
- プラズマの生成と特性
- 容量性結合RF放電プラズマ
- プラズマの生成と特性
- 誘導性結合RF放電プラズマ
- プラズマの生成と特性
- 大気圧プラズマ
- プラズマCVD
- 解離衝突反応とラジカル生成
- Franck-Condonの原理
- プラズマCVDの特徴と原理
- アモルファスSi薄膜を中心に
- 製膜パラメータの考え方
- アモルファスSi堆積条件と高品質化
- プラズマエッチング
- プラズマエッチングの特徴と原理
- 等方性
- 異方性
- 代表的なエッチングガス
- エッチングレート、選択比の制御例エッチングダメージ
- エッチング装置の種類と特徴
- エッチングダメージ
- 終点検出の原理
- プラズマエッチングの特徴と原理
- 質疑応答
受講料
- 1名様: 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 複数名: 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
複数名同時受講割引について
- 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 40,000円(税別) / 44,000円(税込) で受講いただけます。
- 5名様以降は、1名あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 80,000円(税別) / 88,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 120,000円(税別) / 132,000円(税込)
- 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 160,000円(税別) / 176,000円(税込)
- 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 190,000円(税別) / 209,000円(税込)
- 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 請求書は、代表者にご送付いたします。
- 他の割引は併用できません。
アカデミック割引
- 1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)
日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。
- 学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
- 病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
- 文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
- 公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方
- 支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
- 企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。
アーカイブ配信セミナー
- 当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
- 配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
- 視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
- 視聴期間は2026年3月13日〜23日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。 - セミナー資料は別途、送付いたします。