本セミナーでは、FinFET・GAA世代やポストスケーリング世代を見据え、半導体デバイスのエッチング加工技術、ALE技術の応用、および製造装置技術を解説いたします。
日時
- 2026年2月16日 12時30分〜 2026年2月27日 16時30分
開催予定
プログラム
半導体デバイスの微細化により大幅に性能を向上することで、高度な情報通信技術などの革新に寄与してきた。ドライエッチングはその微細化の一翼を担ってきた技術である。 本セミナーでは、ドライエッチング装置の概要、および表面反応モデルをベースにしたエッチング反応のメカニズムについて解説する。さらにその応用例として形状制御 (寸法ばらつき、ラフネス) や装置への実装等ついて説明する。先端分野への取り組みとして、FinFET、GAA (Gate all around) 世代およびポストスケーリング世代を見据えた半導体デバイスのエッチング加工技術およびALE (Atomic Layer etching) 技術の応用、製造装置としての技術にについて解説する。
- イントロダクション
- 半導体デバイスのトレンド
- 半導体プロセスの概要
- ドライエッチング装置の概要
- プラズマエッチング開発の歴史 (概略)
- プラズマ源とドライエッチング装置
- ドライエッチングのメカニズム
- イオンアシスト反応 エッチング速度のモデル式
- エッチング選択比とガス
- CDシフト (寸法変動) のメカニズム
- 均一性制御技術:ウエハ温度・ガス分布制御
- 構造起因ゲート寸法ばらつきとAPC応用
- LER、Wiggling抑制技術
- 堆積制御によるLER改善とEUV応用
- 応力制御によるWiggling抑制
- 先端ロジックデバイスにおけるエッチング技術
- DTCO採用に伴うエッチングの課題
- Si/SiGe fin etching (ALE応用)
- WFM patterning
- GAA/CFET世代のエッチング技術
- GAAのエッチング課題とSiGeリセス加工
- CFETで求められるエッチング技術
- コンフォーマルドライエッチング
- 等方性ドライエッチング技術の概要
- 熱サイクルALE技術と装置
- 各膜材料のコンフォーマル加工
- 製造装置としてのエッチング技術
- 異物計測とその抑制
- エッチング装置内壁材料
- まとめ
受講料
- 1名様: 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 複数名: 22,500円(税別) / 24,750円(税込)
案内割引・複数名同時申込割引について
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「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 42,000円(税別) / 46,200円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
- R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,000円(税別) / 46,200円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
- R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
アーカイブ配信セミナー
- 当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
- 配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
- 視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
- 視聴期間は2026年2月16日〜27日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。