半導体デバイスの微細化により大幅に性能を向上することで、高度な情報通信技術などの革新に寄与してきた。ドライエッチングはその微細化の一翼を担ってきた技術である。
本セミナーでは、ドライエッチング装置の概要、および表面反応モデルをベースにしたエッチング反応のメカニズムについて解説する。さらにその応用例として形状制御 (寸法ばらつき、ラフネス) や装置への実装等ついて説明する。先端分野への取り組みとして、FinFET、GAA (Gate all around) 世代およびポストスケーリング世代を見据えた半導体デバイスのエッチング加工技術およびALE (Atomic Layer etching) 技術の応用、製造装置としての技術にについて解説する。
- イントロダクション
- 半導体デバイスのトレンド
- 半導体プロセスの概要
- ドライエッチング装置の概要
- プラズマエッチング開発の歴史 (概略)
- プラズマ源とドライエッチング装置
- ドライエッチングのメカニズム
- イオンアシスト反応 エッチング速度のモデル式
- エッチング選択比とガス
- CDシフト (寸法変動) のメカニズム
- 均一性制御技術:ウエハ温度・ガス分布制御
- 構造起因ゲート寸法ばらつきとAPC応用
- LER、Wiggling抑制技術
- 堆積制御によるLER改善とEUV応用
- 応力制御によるWiggling抑制
- 先端ロジックデバイスにおけるエッチング技術
- DTCO採用に伴うエッチングの課題
- Si/SiGe fin etching (ALE応用)
- WFM patterning
- GAA/CFET世代のエッチング技術
- GAAのエッチング課題とSiGeリセス加工
- CFETで求められるエッチング技術
- コンフォーマルドライエッチング
- 等方性ドライエッチング技術の概要
- 熱サイクルALE技術と装置
- 各膜材料のコンフォーマル加工
- 製造装置としてのエッチング技術
- 異物計測とその抑制
- エッチング装置内壁材料
- まとめ
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