半導体用レジストの基礎とプロセスの最適化およびEUVリソグラフィ技術・材料の最新動向

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本セミナーでは、レジストの基本原理から材料設計、Si基板との密着性、現像特性評価、プロセス最適化までを解説し、レジスト材料・プロセスの考え方を紹介いたします。
第2部では、量産適用が進むEUVリソグラフィ技術に焦点を当て、EUVレジスト特有の課題や材料開発の最新動向、メタルレジストの可能性を解説いたします。さらに近年注目されるPFAS規制がレジスト材料に与える影響と、PFASフリー材料の開発動向についても紹介いたします。

日時

開催予定

プログラム

第1部 レジスト材料・プロセスの評価

(10:30〜14:30)

 本セミナーでは、レジスト材料・プロセスの最適化について紹介する。  半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上にトランジスタを形成している。特に、微細素子のパターニングに用いられるレジストの剥離プロセスにおいては、硫酸、過酸化水素、アミン系有機溶剤など環境負荷の大きい薬液を大量に使用する。

  1. 半導体とレジストについて
    1. 半導体の微細化
    2. 電子デバイスの製造工程
    3. レジスト解像度とレジスト材料の変遷
    4. 半導体プロセスにおける各種レジスト
    5. レジストに要求される特性
  2. レジストの基本原理
    1. レジストの基本原理 (光化学反応)
    2. レジストの現像特性 (溶解性)
    3. リソグラフィー工程とポジ/ネガ型レジスト
    4. i線/g線用ノボラック系ポジ型レジスト
    5. KrF用,ArF用レジスト (化学増幅型)
    6. レジストの解像度向上
  3. レジストとSi基板との密着性について
    1. レジストの密着性の向上
    2. HMDSの感度特性への影響
  4. ノボラック系ポジ型レジストの現像特性について
    1. レジストの現像特性の評価
    2. レジストの分子量と溶解特性の関係
    3. レジスト現像アナライザを用いた現像特性評価
    4. プリベーク温度を変えたレジストの現像特性
    5. PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストの現像特性評価

第2部 EUVリソグラフィ技術の最新動向とPFAS規制の影響

(14:45〜16:30)

 30年にもおよんだ長い検討期間を経て、ついに2019年EUVリソグラフィが量産適用された。しかしながら、適用された各技術は序章、課題山積であり6年を経過した今なおレジストメーカーによる活発な開発が行われている。  本セミナーでは、EUVフォトレジスト材料に関し、その特有の課題の解説および各種材料の最新動向を解説するとともに、近年話題となっているPFAS規制のレジストへの影響に関し解説する。

  1. リソグラフィ微細化の歴史
    1. リソグラフィ概要
    2. 露光波長短波化による微細化の歴史
    3. それをささえるフォトレジスト材料の進化
  2. EUVリソグラフィ
    1. 歴史、反応機構の特徴
    2. EUVレジスト特有の課題、ストカスティック因子とは何か?
    3. 化学増幅型レジストによる高性能化
    4. メタルレジストとは?その特徴と例
  3. PFAS規制の影響
    1. PFAS規制とは
    2. PFAS規制のレジスト材料への影響
    3. PFAS freeレジストの開発動向

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