半導体デバイスの三次元集積化プロセスの基礎と先進パッケージの開発動向

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本セミナーでは、チップレット、Siブリッジ、Fan Outパッケージの基礎を再訪し、3D集積化プロセスと先進パッケージの現状の課題を整理し、今後の開発動向と市場動向を展望いたします。

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プログラム

先端半導体デバイスパッケージの高品位化によるシステムレベル性能向上だけでなく、先端、非先端デバイスのMix&Matchによる多様なシステムモジュールを市場へ効率的に供給するChiplet integrationのエコシステム構築への期待が高まっています。異種デバイスチップの集積化は設計、プロセス、材料、装置、テスト、信頼性評価に亘る境界領域相互の協同の先に拓かれる技術であり、国内関連産業の優位性に期待が集まっています。  本セミナーでは、2.5Dから3D、3.5Dへ進展したデバイス集積化の開発経緯の整理、主要基幹プロセスの基礎の再訪、深化を続ける先進パッケージの動向に言及します。

  1. 最近の先進半導体デバイスパッケージ
    1. CoWoSとWafer Scale Integration
    2. Chiplet integration
  2. 中間領域技術の進展と「後工程」の高品位化
  3. 三次元集積化プロセスの基礎
    1. デバイス性能向上
    2. TSV再訪
      • HBM
      • BSPDN
    3. Wafer level Hybrid Bonding
      • CIS
      • NAND
    4. CoW Hybrid Bonding
      • 異種チップ積層
      • SRAM増強
    5. システムレベル性能向上
    6. Logic-on-memory積層 SoC再訪
      • RDL
      • Micro-bumping
      • チップ積層導入の原点
    7. 2.5D integration on Si/Organic interposer
    8. Si Bridge (レティクルサイズ制約からの解放)
    9. RDL微細化と多層化 (SAP延命とDamascene導入の要否)
  4. Fan-Out (FO) 型パッケージプロセスの基礎
    1. FOプロセスと材料の課題
    2. FO三次元集積の民主化 (InFOのくびきからの解放)
    3. メモリ, パワーデバイスへの浸透
  5. 今後の開発動向と市場動向
    1. PLPの高品位化の課題
    2. Glassパッケージの課題
    3. パッケージ市場の動向
    4. AI利活用が牽引する市場
  6. Q&A

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