ドライエッチング技術の基礎と原子層エッチング (ALE) の最新技術動向

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本セミナーでは、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング (ALE) 技術について、表面反応機構から最新技術動向までを解説いたします。

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プログラム

本講座では、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング (ALE) 技術について、表面反応機構から最新技術動向までを詳しく紹介する。関連項目として、プラズマCVDと原子層堆積 (ALD) プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション (DX) の最新研究動向についても、概要を紹介する。プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。

  1. 背景
  2. プラズマ科学の基礎
  3. 代表的なプラズマプロセス装置
  4. 反応性イオンエッチング (RIE) の基礎
    1. プラズマ表面相互作用
    2. 表面帯電効果
    3. シリコン系材料エッチング反応機構
    4. 金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
    5. 高アスペクト比 (HAR) エッチング概要
  5. プラズマCVD概要:原子層堆積 (ALD) の基礎として
  6. ALDプロセスの概要:原子層エッチング (ALE) の逆過程として
    1. 熱ALD
    2. プラズマ支援 (PA-) ALD
  7. ALEプロセスの概要と最新技術動向
    1. PA-ALE
    2. 熱ALE:リガンド交換
    3. 熱ALE:金属錯体形成
  8. 半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション (DX)
    1. プロセス数値シミュレーションとTCAD (Technical Computer Aided Design)
    2. 仮想計測 (VM) とプロセス装置制御
    3. マテリアルズ・インフォマティクス
    4. プロセス開発における機械学習 (ML) ・AIの活用
  9. まとめ

受講料

複数名受講割引

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

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