フォトレジスト材料は、ポジ型、ネガ型、化学増幅型、非化学増幅型などとして分類され、i線、G線、KrF、ArF、EB、およびEUV露光用レジスト材料として活用されている。高感度化をすること、すなわち、露光量を少なくさせることは、短時間でパタンニング処理を可能にし、生産性を上げることを可能にする。しかし、それだけではなく、レジストパタンの解像性を上昇させ、レジストパタンのラフネスの改善にも大きく貢献することになる。次世代レジストシステムとして、EUV露光システムが実用化段階に入っているが、最も研究開発が必要とされているのは、EUV用のレジスト材料の開発である。現在のところ、EUV露光システムの能力を十分に引き出せるとされるレジスト材料は未だない。新しいレジスト材料の開発は、様々なレジスト特性を評価検討する必要があるが、まずは少ない露光量でパタンニングが可能であること、すなわち高感度であることが最優先である。実際、EUV用レジスト材料においても、より高感度なレジスト材料の開発が急務とされている。
本セミナーにおいて、露光システムに対応したレジスト材料の分子設計指針から、最新のEUV用レジスト材料の開発動向から、次世代の分子設計指針まで解説する。
- レジスト材料
- 原理
- レジスト材料の例
- 化学増幅型レジスト
- ポジ型レジスト材料
- 材料的な特性
- 主な応用・用途
- ネガ型レジスト材料
- 材料的な特性
- 主な応用・用途
- 高分子レジスト材料と低分子レジスト
- 材料的な特性
- 主な応用・用途
- レジスト材料の評価方法と開発方法の実例
- レジスト材料の評価項目、評価手法について
- レジスト材料の評価方法と開発例
- 最新型レジスト材料
- メタルレジスト
- EB, EUV用レジスト材料
- 質疑応答
複数名受講割引
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