本セミナーでは、ダイヤモンド半導体を用いたデバイス、特にダイヤモンドパワーデバイスに関してその作製技術や測定、解析技術及び最新の技術動向について分かりやすく解説いたします。
日時
- 2026年1月22日 13時00分〜 2026年1月31日 16時00分
開催予定
プログラム
ダイヤモンドは大きなバンドギャップ (5.45 eV) や、高い移動度 (〜2000 cm/V・s) 、高絶縁破壊電圧 (〜6 MV/cm) 、高熱伝導度 (〜22 W/cm・K) 等の優れた物理特性を有する事から、次世代パワーデバイス材料として期待されている。また、大バンドギャップ及び高熱伝導度に加え、化学安定性にも優れている事から極限環境下 (高温や放射線下等) で動作するパワーデバイスとしても期待されている。 本講座では、ダイヤモンド半導体を用いたデバイス、特にダイヤモンドパワーデバイスに関してその作製技術や測定、解析技術及び最新の技術動向について分かり易く解説を行う。
- はじめに
- ダイヤモンドの物理特性と半導体パワーデバイスとしてのポテンシャル
- ダイヤモンド半導体研究の歴史
- ダイヤモンド半導体結晶の作製技術
- ダイヤモンド単結晶成長技術 (高温高圧合成法等)
- ダイヤモンド薄膜結晶成長
- ホモエピタキシャル成長
- ヘテロエピタキシャル成長
- ダイヤモンド半導体のドーピング技術
- in-situドープ
- イオン注入等
- ダイヤモンド終端面と伝導特性制御
- ダイヤモンド半導体パワーデバイス作製技術
- ダイヤモンドショットキーダイオード
- ダイヤモンドPNダイオード
- ダイヤモンド電界効果トランジスタ (FET)
- その他のダイヤモンドデバイス (バイポーラトランジスタ等)
- まとめ
- ダイヤモンドパワーデバイスの課題
- 今後の展望
受講料
- 1名様: 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 複数名: 22,500円(税別) / 24,750円(税込)
案内割引・複数名同時申込割引について
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案内および割引をご希望される方は、お申込みの際、「案内の希望 (割引適用)」の欄から案内方法をご選択ください。
「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 42,000円(税別) / 46,200円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
- R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,000円(税別) / 46,200円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
- R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
アーカイブ配信セミナー
- 当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
- 配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
- 視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
- 視聴期間は2026年1月22日〜31日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。