ワイドギャップ半導体パワーデバイスの優位性と課題から業界動向まで

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本セミナーでは、パワーデバイス進化の歴史から最新動向までを、詳細に解説いたします。

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次世代パワーデバイスとしてワイドギャップ半導体への期待が高く、試作および少量量産品の性能は良好である。しかしながら、究極にまで洗練されたSiパワーデバイスと比較して、本格的な量産にはコストや信頼性など課題が多く存在している。最も開発が進んでいるSiCパワーデバイスは、海外メーカの躍進に対し日本メーカの存在感は薄い。GaN-HEMTはSiやSiCでは実現不可能な高速デバイスが実現でき実用化もされているが、SiC以上に日本の存在感は薄い。酸化ガリウムパワーデバイスは、唯一日本が主導権を握っており、期待が大きい。  本セミナーでは、パワーデバイス進化の歴史から最新動向までを、詳細に解説する。

  1. パワーデバイスの概要
    1. パワーデバイスの用途
    2. Siパワーデバイスの進化
  2. SiCパワーデバイス
    1. SiCパワーデバイスの優位性
    2. SiC単結晶/ウエハ製造の課題
    3. SiCパワーデバイス性能および信頼性の課題
  3. GaNパワーデバイス
    1. GaNパワーデバイスの優位性
    2. GaNパワーデバイス用ウエハ製造の課題
    3. GaNパワーデバイスの課題
  4. 酸化ガリウムパワーデバイス
    1. 酸化ガリウムパワーデバイスの優位性
    2. 酸化ガリウム単結晶製造の課題
    3. 酸化ガリウムパワーデバイスの課題
  5. パワーデバイスの将来展望
    1. パワーデバイス業界の動向
    2. パワーデバイス業界における日本の地位
  6. Q&A

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