本セミナーでは、パワーデバイス進化の歴史から最新動向までを、詳細に解説いたします。
日時
- 2025年11月4日 13時30分〜 2025年11月4日 16時30分
中止
プログラム
次世代パワーデバイスとしてワイドギャップ半導体への期待が高く、試作および少量量産品の性能は良好である。しかしながら、究極にまで洗練されたSiパワーデバイスと比較して、本格的な量産にはコストや信頼性など課題が多く存在している。最も開発が進んでいるSiCパワーデバイスは、海外メーカの躍進に対し日本メーカの存在感は薄い。GaN-HEMTはSiやSiCでは実現不可能な高速デバイスが実現でき実用化もされているが、SiC以上に日本の存在感は薄い。酸化ガリウムパワーデバイスは、唯一日本が主導権を握っており、期待が大きい。 本セミナーでは、パワーデバイス進化の歴史から最新動向までを、詳細に解説する。
- パワーデバイスの概要
- パワーデバイスの用途
- Siパワーデバイスの進化
- SiCパワーデバイス
- SiCパワーデバイスの優位性
- SiC単結晶/ウエハ製造の課題
- SiCパワーデバイス性能および信頼性の課題
- GaNパワーデバイス
- GaNパワーデバイスの優位性
- GaNパワーデバイス用ウエハ製造の課題
- GaNパワーデバイスの課題
- 酸化ガリウムパワーデバイス
- 酸化ガリウムパワーデバイスの優位性
- 酸化ガリウム単結晶製造の課題
- 酸化ガリウムパワーデバイスの課題
- パワーデバイスの将来展望
- パワーデバイス業界の動向
- パワーデバイス業界における日本の地位
- Q&A
受講料
- 1名様: 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
- 複数名: 18,000円(税別) / 19,800円(税込)
案内割引・複数名同時申込割引について
シーエムシーリサーチからの案内をご希望の方は、割引特典を受けられます。
また、2名様以上同時申込で全員案内登録をしていただいた場合、1名様あたり半額の 18,000円(税別) / 19,800円(税込)となります。
- Eメール案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 36,000円(税別) / 39,600円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 36,000円(税別) / 39,600円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 54,000円(税別) / 59,400円(税込)
- Eメール案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 80,000円(税別) / 88,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 120,000円(税別) / 132,000円(税込)
アカデミック割引
- 1名様あたり 24,000円(税別) / 26,400円(税込)
学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。
ライブ配信セミナーについて
- 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
- お申し込み前に、 Zoomのシステム要件 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
- 開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
- セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
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- タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
- ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
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