ALE (アトミック レイヤー エッチング) 技術の基本原理と開発事例および最新動向

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本セミナーでは、半導体技術の進展に伴い、これまで以上に原子層レベルでの制御が求められるエッチング技術について取り上げ、その最先端における課題と、中でも注目されているALEについて解説いたします。
原理や代表的プロセス等の基礎から、各種材料に対するALEの開発事例、最新の開発事例・トピックスまで体系的に解説いたします。

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プログラム

半導体加工の微細化は原子層レベルに達し、三次元構造化や積層化による集積度の向上が急速に進展しています。さらに、ポストスケーリング時代に向けて、新構造トランジスタや新材料の導入が検討されており、これに伴い、さまざまな膜材料を原子層レベルの寸法精度で制御するエッチング技術の重要性がますます高まっています。  本講座では、まずロジックおよびメモリ半導体の開発動向と、それに伴うエッチング技術の最先端課題について概説します。続いて、ALE (アトミックレイヤーエッチング) の原理を、ドライエッチングおよびウェットエッチングの基礎から丁寧に解説します。さらに、代表的なALEプロセス、各種材料に対するALEの開発事例、そして最新の研究・開発動向についても紹介します。

  1. 半導体デバイスの開発動向および製造プロセス
    1. ロジック、メモリーデバイスの開発動向
    2. デバイス構造と製造プロセス
  2. 半導体製造プロセスにおけるエッチング
    1. エッチングの概要および装置
    2. エッチング技術開発の歴史
  3. ALE (アトミックレイヤーエッチング) の基礎
    1. ALEの概要と特徴
    2. ALEの歴史と分類
  4. 熱ALE
    1. 熱ALEの原理
    2. 熱ALEの開発事例
      • La2O3
      • Co
  5. 熱サイクルALE
    1. 熱サイクルALEの原理
    2. 熱サイクルALEの開発事例
      • Si3N4
      • SiO2
      • TiN
      • W
  6. ウェットALE
    1. ウェットエッチングの基礎
    2. ウェットALEの原理と報告例
  7. ハロゲンとArイオンによるALE
    1. 反応性イオンエッチングの基礎
    2. ハロゲンとArイオンによるALEの原理
    3. ハロゲンとArイオンによるALEの開発事例 (Si)
  8. フルオロカーボンアシストALE
    1. フルオロカーボン系プラズマを用いたドライエッチングの基礎
    2. フルオロカーボンアシストALEの原理
    3. フルオロカーボンアシストALEの開発事例 (Si3N4)
  9. ALEの開発動向と最新トピックス
  10. まとめと今後の課題

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