本セミナーでは、ドライエッチングおよびウェットエッチングについて、エッチング反応の原理から装置、微細加工技術のトレンド、シリコン系材料やIII-V族化合物半導体のエッチング技術、そして最先端の原子層エッチング技術までを、メーカで化合物半導体光デバイスの製造プロセスやシリコンLSI向けエッチング装置の開発に携わってきた講師が、実経験を交えながら分かりやすく解説いたします。
日時
- 2025年12月5日 10時30分〜 2025年12月5日 16時30分
開催予定
プログラム
半導体製造に必要不可欠なエッチング技術について、基礎から最新動向まで体系的に解説いたします。 先端半導体の開発動向から、ドライエッチングおよびウェットエッチングの原理、材料別の応用、そして最先端の原子層エッチングまでを詳説。対象材料はシリコン系に加え化合物半導体も含み、微細化・三次元化への対応から光デバイスなどの多様な応用領域までを網羅します。
- 先端半導体のトレンド/デバイス構造/製造プロセス
- ロジック/メモリーのトレンド
- デバイス構造
- 製造プロセス
- 半導体製造プロセスにおけるエッチング
- エッチングの種類
- エッチングの課題
- ドライエッチングの基礎とプロセス技術
- ドライエッチング装置の種類
- ドライエッチングプロセスの特徴
- ドライエッチングの原理
- ドライエッチング損傷
- 各種材料のドライエッチング
- Si
- SiO2
- Si3N4
- GaAs
- InP
- GaN
- ウェットエッチングの基礎とプロセス技術
- ウェットエッチングの原理
- ウェットエッチングの律速過程
- 各種材料のウェットエッチング
- Si
- SiO2
- Si3N4
- GaAs
- InP
- GaN
- 原子層エッチングの基礎と最新技術
- 原子層プロセスのトレンド
- 原子層エッチング基礎と分類
- 有機金属錯体反応を用いた熱ALE
- プラズマと熱サイクルを用いた等方性ALE
- ハロゲン化とイオン照射を用いた異方性ALE
- フルオロカーボンアシスト法を用いた異方性ALE
- 実プロセスにおけるエッチングの課題・トラブル事例と対策
- 光デバイスエッチングにおける凹凸発生
- まとめと今後の課題
会場
受講料
- 1名様: 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 複数名: 25,000円(税別) / 27,500円(税込)
案内割引・複数名同時申込割引について
S&T出版からの案内をご希望の方は、割引特典を受けられます。
また、4名様以上同時申込で全員案内登録をしていただいた場合、1名様あたり 22,000円(税込)でご受講いただけます。
- Eメール案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,000円(税別) / 73,700円(税込)
- 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 80,000円(税別) / 88,000円(税込)
- 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
- Eメール案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)
- 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 200,000円(税別) / 220,000円(税込)
- 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 250,000円(税別) / 275,000円(税込)