半導体デバイスにおける洗浄技術の最新動向と今後の展望

第1部 半導体デバイスにおける洗浄技術の基礎と技術動向および今後の課題

(2025年10月27日 10:00〜12:30)

　半導体製造において、各種汚染は歩留低下を引き起こします。序論として汚染が半導体デバイスにおよぼす影響を示します。それを踏まえて、半導体洗浄に関して説明します。従来の洗浄から最近の洗浄、目的別洗浄について詳細を説明します。洗浄以外の汚染制御技術に関して紹介します。最後に次世代の汚染制御の問題点と洗浄乾燥技術について解説します。

1. 序論 – 汚染が半導体デバイスに与える影響
   1. クリーン化の重要性
   2. 金属汚染およびナノパーティクル
      • Fe
      • Cu等
   3. 分子汚染
      • NH3
      • アミン
      • 有機物
      • 酸性成分
   4. 各種汚染の分析解析方法及びモニタリング技術
2. 洗浄技術
   1. RCA洗浄
   2. 各種洗浄液と洗浄メカニズム – 薬液系洗浄 vs. 純水系洗浄
   3. 洗浄プロセスの動向
   4. 乾燥技術
   5. 最先端の洗浄技術とその問題点
3. その他の汚染制御技術
   1. 工場設計
   2. ウェーハ保管、移送方法
4. 次世代の汚染制御の問題点と今後の課題
   1. 新洗浄乾燥技術
      • SCCO2洗浄乾燥
      • PK剤乾燥
   2. 次世代の洗浄、汚染制御の問題点と今後の課題

第2部 半導体デバイスの物理的ウエット洗浄の基礎と最新情報の展開

(2025年10月27日 13:30〜16:00)

　近年、半導体デバイスの進化は目覚ましく、その開発スピードは加速の一途をたどっています。本セミナーでは、半導体デバイスにおける物理的ウエット洗浄について、基礎から丁寧にご説明いたします。セミナーでは、まず半導体デバイスの基礎について概説した後、現在の製造プロセスで用いられている物理的洗浄技術について、原理から分かりやすく解説します。さらに、講演者の専門分野である半導体製造時のウエット洗浄時の静電気障害 (ESD) 対策や、半導体洗浄に関する国際会議の最新動向についてもご紹介いたします。 　基礎からお話ししますので、半導体デバイス洗浄に携わって3〜4年程度の方や、これから半導体洗浄分野への参入を検討されている方にも最適な内容です。

1. 半導体デバイス製造の基礎
   1. 半導体デバイスの基礎
      1. 半導体材料
      2. p型半導体とn型半導体
      3. シリコンウェハ上の電子部品の要素と構造
   2. 半導体製造プロセスについて
      1. CMOS製造を例としたプロセスの説明
      2. なぜ微細化が必要なのか?
   3. 半導体デバイス製造プロセスにおける洗浄の必要性
      1. 化学的洗浄 (RCA洗浄) の基礎
      2. 物理的洗浄の必要性
      3. パーティクルのカウント方法
      4. 物理洗浄に求められるもの
2. 物理的ウエット洗浄
   1. パーティクルの付着理論
   2. 水流を用いた洗浄原理
   3. 高圧スプレー洗浄
   4. 二流体スプレー洗浄
   5. メガソニック洗浄
      1. メガソニックスプレー
      2. 石英振動体型メガソニック洗浄方法
   6. ブラシ洗浄
   7. 次世代の物理的洗浄技術
3. 純水スプレー洗浄時の静電気障害
   1. 半導体デバイスの洗浄の静電気障害の実例
   2. スプレー時に発生する静電気と静電気障害のメカニズム
   3. 静電気障害の対策方法
4. 近年の学会情報
   1. IMEC 主催17th Symposium on Ultra Clean Processing of Semiconductor Surfaces (UCPSS 2025)
   2. The Electrochemical Society 主催International Symposium on Semiconductor Cleaning Science & Technology (SCST2024)
   3. 応用物理学会 界面ナノ化学研究研究報告