本セミナーでは、ダイヤモンド半導体を用いたデバイス、特にダイヤモンドパワーデバイスに関してその作製技術や測定、解析技術及び最新の技術動向について分かりやすく解説いたします。
ダイヤモンドは大きなバンドギャップ (5.45 eV) や、高い移動度 (〜2000 cm/V・s) 、高絶縁破壊電圧 (〜6 MV/cm) 、高熱伝導度 (〜22 W/cm・K) 等の優れた物理特性を有する事から、次世代パワーデバイス材料として期待されている。また、大バンドギャップ及び高熱伝導度に加え、化学安定性にも優れている事から極限環境下 (高温や放射線下等) で動作するパワーデバイスとしても期待されている。 本講座では、ダイヤモンド半導体を用いたデバイス、特にダイヤモンドパワーデバイスに関してその作製技術や測定、解析技術及び最新の技術動向について分かり易く解説を行う。
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