ダイヤモンド半導体の最前線と高性能パワーデバイスの開発・評価法

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本セミナーでは、ダイヤモンド半導体を用いたデバイス、特にダイヤモンドパワーデバイスに関してその作製技術や測定、解析技術及び最新の技術動向について分かりやすく解説いたします。

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プログラム

ダイヤモンドは大きなバンドギャップ (5.45 eV) や、高い移動度 (〜2000 cm/V・s) 、高絶縁破壊電圧 (〜6 MV/cm) 、高熱伝導度 (〜22 W/cm・K) 等の優れた物理特性を有する事から、次世代パワーデバイス材料として期待されている。また、大バンドギャップ及び高熱伝導度に加え、化学安定性にも優れている事から極限環境下 (高温や放射線下等) で動作するパワーデバイスとしても期待されている。  本講座では、ダイヤモンド半導体を用いたデバイス、特にダイヤモンドパワーデバイスに関してその作製技術や測定、解析技術及び最新の技術動向について分かり易く解説を行う。

  1. はじめに
    1. ダイヤモンドの物理特性と半導体パワーデバイスとしてのポテンシャル
    2. ダイヤモンド半導体研究の歴史
  2. ダイヤモンド半導体結晶の作製技術
    1. ダイヤモンド単結晶成長技術 (高温高圧合成法等)
    2. ダイヤモンド薄膜結晶成長
      • ホモエピタキシャル成長
      • ヘテロエピタキシャル成長
    3. ダイヤモンド半導体のドーピング技術
      • in-situドープ
      • イオン注入等
    4. ダイヤモンド終端面と伝導特性制御
  3. ダイヤモンド半導体パワーデバイス作製技術
    1. ダイヤモンドショットキーダイオード
    2. ダイヤモンドPNダイオード
    3. ダイヤモンド電界効果トランジスタ (FET)
    4. その他のダイヤモンドデバイス (バイポーラトランジスタ等)
  4. まとめ
    1. ダイヤモンドパワーデバイスの課題
    2. 今後の展望

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