酸化物半導体の基礎と三次元集積デバイス応用に向けた研究開発動向

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酸化物半導体は、IGZOの実用化をはじめ、低温形成・高移動度・透明性・低リーク電流といった特長から、モノリシック3D集積化や三次元DRAM・NANDなど、三次元集積デバイス応用へ注目が集まっており、研究開発が急速に進展しています。
本セミナーでは、酸化物半導体の材料物性・プロセス技術・デバイス特性の基礎を整理しながら、三次元集積デバイス応用に向けた最新の開発動向を解説いたします。

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プログラム

IGZOをはじめとする酸化物半導体は、低温形成可能、高移動度、透明、低リーク電流といった優れた特性を有し、ディスプレイ分野で量産技術として成功を収めた。現在、酸化物半導体の集積デバイス技術への応用への期待が高まってきている。特に、プロセッサとメモリアレイを同一チップに集積化するモノリシック3D集積化や、DRAMまたはNAND向けの三次元構造メモリへの応用が期待されおり、半導体メーカーでの研究開発も活発化している。  このような状況をふまえて本講演では酸化物半導体の基礎を解説するとともに、最近の三次元デバイス応用に向けた研究開発動向を解説する。

  1. 背景
    • 酸化物半導体のニーズ
      • なぜ酸化物半導体か?
  2. 酸化物半導体の基礎
    1. 酸化物半導体の材料物性
      • シリコンと何が違うか?
    2. 酸化物半導体のプロセス技術
      • 薄膜形成技術、
      • トランジスタ形成技術
    3. 酸化物半導体のデバイス技術
      • トランジスタの性能
      • トランジスタの信頼性
  3. 三次元集積デバイス応用の研究開発動向
    1. 集積デバイスの現状
      • シリコンの限界
    2. モノリシック三次元集積技術
      • 混載メモリ
    3. 三次元構造メモリデバイス
      • 三次元DRAM
      • 三次元NAND
  4. まとめ

受講料

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