EUVリソグラフィの技術動向とレジスト材料の開発

第1部 EUVリソグラフィの基礎とレジスト材料の開発例

(2025年10月10日 10:30〜12:00)

　フォトレジスト材料の開発は、G線、i線、KrFおよびArFエキシマーレーザーと、露光システムの変遷により、そのレジスト材料の骨格を変化させ、露光システムに対応したレジスト材料が開発されてきた。2017年より極端紫外線 (EUV) 露光システムが実用化されている。しかしながら、EUV露光システムの能力を十分に引き出せるレジスト材料の開発が必要とされ続けている。 　本テーマでは、これまで開発されてきたレジスト材料の基本的な構造を紹介しながら、レジスト材料の合成方法について、基本的な合成方法から最新の合成例について解説する。さらに、分子レジストや化学増幅型レジストの原理や合成方法について解説し、EUV用レジスト材料の研究開発例を紹介し、それらの問題点、および今後の分子設計方法について解説する。

1. EUV用レジストシステム
   1. ムーアの法則とEUV用レジストシステム
   2. EUVレジストシステムの開発の動向
   3. EUV用レジスト材料の開発の必要性について
   4. EUV用レジスト材料に求められる特性
2. EUV用レジスト材料
   1. ポジ型EUV用レジスト材料 (化学増幅型EUV用レジスト材料)
   2. ネガ型EUV用レジスト材料 (非化学増幅型EUV用レジスト材料)
   3. メタルEUV用レジスト材料
3. EUV用レジスト材料の開発例
   1. 高感度型EUVレジスト材料
   2. EUV用レジスト材料の今後の課題
• 質疑応答

第2部 EUVレジスト材料開発と評価・プロセス技術

(2025年10月10日 13:00〜14:30)

　EUVリソグラフィーが実用化されてデバイス製造へも適用が進んでいますが、さらなる高解像性の要求からハイパーNA (NA0.55) のEUVスキャナーの導入が検討されています。 　ハイパーNAでは、DOFの観点、および解像性から、従来のCARレジストに代わってメタルレジストが使われると言われています。 　本講座では、EUVレジストの概要および特にEUVメタルレジストの評価方法について紹介します。

1. EUVLの概要
   1. EUVLの現状
   2. EUVメタルレジストの概要
2. EUVレジストの評価技術 (主にEUVメタルレジスト)
   1. EUV透過率測定
   2. EUV屈折率nk測定
   3. EUV 2光束干渉露光
   4. リガンド脱離反応の観察 (FT-IR法)
   5. アウトガス分析 (Q-Mass法)
   6. Depth profileの観察 (GCIB-TOFSIMS法)
3. EUVフォトレジストと電子線レジストの感度の関係
• 質疑応答

第3部 EUVLレジスト材料の反応機構、高性能化とメタルレジストの性能評価

(2025年10月10日 14:45〜16:15)

　コンピュータ性能の更なる向上が要求されている半導体分野において、極端紫外光 (EUV) リソグラフィが実現された。 　本講演では、EUV用レジスト材料の反応機構およびEUVレジスト材料の反応構に基づいた高性能化にについて解説します。特に、メタルレジスト材料の性能評価およびレジスト性能への金属コアおよび有機配位子の効果に関する研究について最近の研究成果を挙げながら紹介する。

1. はじめに
   1. リソグラフィ工程とリソグラフィ技術の変遷
   2. EUVリソグラフィの現状と課題
   3. EUVリソグラフィレジスト評価システム
2. EUV/EBレジストの反応機構
   1. EUV/EBリソグラフィ用化学増幅型レジストの反応機構
   2. EUV/EBレジスト材料の反応機構に基づいた高性能化
   3. 次世代リソグラフィ用レジスト材料の要求特性
   4. EUV/EB化学増幅型レジストの問題点
   5. EUV/EBレジストの設計指針
3. メタルレジスト材料の性能評価
   1. EUVリソグラフィ用メタルレジストの概要
   2. 放射線による金属ナノ粒子の形成メカニズムに基づいた有機無機ハイブリッドパターン形成
   3. メタル化合物の添加によるEUVレジストの高感度化
   4. メタルレジスト材料の性能評価
   5. レジスト性能への金属コアと有機配位子への効果
4. 今後の課題
• 質疑応答