半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ、半導体パターン微細化に伴うリソグラフィ用露光方式の進化の流れを、専門外の方々にもわかりやすく説明する。次に、投影露光装置の構成、主要性能と要素性能の関係について述べ、露光装置についての定性的理解を深めてもらう。更に、解像度に対する投影光学系、照明光学系のパラメータと露光波長の寄与ついて数式を用いて詳しく解説し、専門の方には計算の仕方を、専門外の方には計算結果の意味するところを理解してもらう。そして、光源、多層膜ミラー、反射光学系を含むEUV露光装置の特徴について説明する。更に、原版となるマスク上に半導体パターンを描画するために用いられる電子ビーム露光装置について説明する。最後に、露光装置によって形成される光強度分布からレジスト像への転写原理、レジスト材料の原理について述べる。
- 半導体高集積化のトレンド
- 半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ
- 露光装置概説
- 半導体露光装置の露光方式の進化
- 半導体露光装置の性能と要素機能、露光技術の発展
- 部分的コヒーレンス理論
- 解像度向上策
- 重ね合わせ精度
- スループットを含む
- EUV露光装置
- EUV露光装置の特徴
- 光源
- 多層膜反射光学系
- 真空ステージ
- EUVマスクを含む
- EUV露光装置の高NA化と将来展望
- Cost of Ownership
- 電子ビーム露光装置
- レジスト材料の原理
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