半導体製造のCMP技術・CMP後洗浄の基礎と最新技術および今後の課題・展望

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本セミナーでは、2030年に向けたSEMI・CMP市場、CMP技術 (工程、基本原理、装置の構成、パフォーマンスの要素、性能とパラメータ、研磨ヘッドのプロファイル制御やプロセスモニタ・コントロール技術等) 、CMP後の洗浄 (洗浄プロセス、薬液を使ったパーティクルの除去メカニズム、乾燥技術、各膜種によるCMPのメカニズムと手段・処理形態、CMP特有の洗浄課題等) 、今後の配線工程の課題と展望などについて解説いたします。

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プログラム

昨今の半導体業界の躍進は周知のとおりです。その半導体の電子媒体であるチップ構造も、微細化から三次元化も含めて形態が複雑化しています。その半導体を製造する工程の一つであるCMP技術は、上記要求に対し、更に工程数も増えており、今後も新たな工程でCMPプロセスに期待がかかっています。  今回のセミナーでは、CMPの基本的なプロセス技術と装置構成について今後CMPに関わる方にも分かりやすく解説します。また、特にCMP後の洗浄については、一般の半導体洗浄との違い、独特なウェーハ表面洗浄について解説し、最後に課題と解決策を提言します。

  1. はじめに … 2030年に向けたSEMI・CMP市場
  2. 半導体製造におけるCMP工程の概要
    1. CMPとは
      1. CMPの主な適用工程
      2. CMP工程数の増加
    2. CMP研磨部の基本構成
      1. 基本原理
        • 基本構成
        • 均一に研磨できる理由
        • CMPパフォーマンスの要素と変数「k」
        • 主なCMP性能とパラメータ
      2. 研磨ヘッドの歴史とプロファイル制御
      3. エンドポイント、プロセスモニタ・コントロール技術
        • TCM, RECM, SOPMの解説
        • プロセスモニタとIn-situプロセスコントロール技術
      4. 装置構成
        • 研磨部
        • 洗浄部
  3. CMP後洗浄の概要
    1. 洗浄プロセスの基礎
      1. 半導体洗浄のはじまり
      2. 半導体洗浄技術の体系
      3. 薬液を使った半導体洗浄の代表的なウェーハ表面からのパーティクル除去メカニズム
      4. DLVO理論
      5. 乾燥技術
    2. 半導体洗浄の中のCMP後洗浄
      1. 一般的な洗浄プロセスとCMP後の洗浄の違い
      2. 各膜種によるCMPのメカニズムと手段、処理形態
  4. 今後のCMP後洗浄の課題
    1. ロードマップ解説
    2. CMP特有の洗浄課題
      • 滞留領域
    3. Cu腐食についての解説
      • DIW溶存ガスによる腐食と抑制
      • その他、電池効果、光、洗浄剤
  5. まとめ

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