将来の高効率パワーデバイスの有力な候補とされているGaNを用いたパワーデバイスの現状と将来を理解していただく。横型パワーデバイスはGaN特有の構造で多くの特徴を持ち、開発も進んで実用化されつつある。Siと比べても優位性を持つことから、システム応用が進んでおり、わが国でも応用展開を喚起したい。縦型パワーデバイスはまだ実用化手前であるが、その開発は速いスピードで進んでおり,現状と課題を説明する。今のところ我が国がリードしていると考えているが、世界での開発競争が始まっており、危機感を共有したい。
- GaNの物性と強み
- GaNパワーデバイスの特徴
- 横型パワーデバイス
- 横型パワーデバイスの構造と特徴
- 技術課題と対策
- 電流コラプス
- ノーマリオフ
- エピタキシャル成長
- 実際の構造とパッケージング
- 世界の開発動向と応用
- 縦型パワーデバイス
- 縦型パワーデバイスの構造と特徴
- 作製プロセスの課題
- 要素技術の現状
- 結晶成長技術
- トレンチ加工技術
- ゲート絶縁膜とチャネル移動度
- イオン注入技術
- GaN基板開発の現状
- 縦型パワーデバイスの実際
- Junction Barrier Schottky (JBS) ダイオード
- Junction FET
- MOSFET
- 開発の展望と応用
- 全体のまとめ
複数名同時受講割引について
- 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 40,000円(税別) / 44,000円(税込) で受講いただけます。
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