GaNパワーデバイスの特性と横型・縦型デバイスの開発状況・応用展開

セミナーに申し込む
オンライン 開催

本セミナーでは、次世代パワーデバイスの有力候補にあげられるGaNデバイスの現状と可能性について解説いたします。

日時

開催予定

プログラム

将来の高効率パワーデバイスの有力な候補とされているGaNを用いたパワーデバイスの現状と将来を理解していただく。横型パワーデバイスはGaN特有の構造で多くの特徴を持ち、開発も進んで実用化されつつある。Siと比べても優位性を持つことから、システム応用が進んでおり、わが国でも応用展開を喚起したい。縦型パワーデバイスはまだ実用化手前であるが、その開発は速いスピードで進んでおり,現状と課題を説明する。今のところ我が国がリードしていると考えているが、世界での開発競争が始まっており、危機感を共有したい。

  1. GaNの物性と強み
  2. GaNパワーデバイスの特徴
  3. 横型パワーデバイス
    1. 横型パワーデバイスの構造と特徴
    2. 技術課題と対策
      1. 電流コラプス
      2. ノーマリオフ
      3. エピタキシャル成長
    3. 実際の構造とパッケージング
    4. 世界の開発動向と応用
  4. 縦型パワーデバイス
    1. 縦型パワーデバイスの構造と特徴
    2. 作製プロセスの課題
    3. 要素技術の現状
      1. 結晶成長技術
      2. トレンチ加工技術
      3. ゲート絶縁膜とチャネル移動度
      4. イオン注入技術
      5. GaN基板開発の現状
    4. 縦型パワーデバイスの実際
      1. Junction Barrier Schottky (JBS) ダイオード
      2. Junction FET
      3. MOSFET
    5. 開発の展望と応用
  5. 全体のまとめ

受講料

複数名同時受講割引について

アカデミック割引

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

アーカイブ配信セミナー