本セミナーでは、Siパワーデバイスの現状からワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発動向や課題まで分かりやすく解説いたします。
日時
- 2025年8月22日 12時30分〜 2025年8月29日 16時30分
中止
プログラム
パワーデバイスは、地球温暖化防止の決め手となるパワーエレクトロニクスを根底から支えています。これまで日本は、パワーデバイス業界を主導的に牽引してきました。しかしながら最近、日本のパワーデバイスの世界シェアは徐々に落ちてきており、何らかの手を打たない限り、この動きは止められません。 Siパワーデバイスは製造ラインの300mm化が必須ですが、日本はすでに大きく出遅れています。近年、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。量産化には多くの課題があるものの、海外メーカは積極的に市場投入を進めています。日本はここでも、海外メーカに後れを取っています。 本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発動向と今後の課題について詳細に解説します。さらに、日本のパワーデバイス再建についても議論します。
- パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイス業界動向
- パワーエレクトロニクスへの期待とパワーデバイスの適用分野
- パワーデバイスによる電力変換とパワーデバイスの高性能化
- パワーチップおよびパワーモジュールの構造
- パワーチップおよびパワーモジュールの構造
- パワーチップおよびパワーモジュールの製造プロセス
- Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発
- Siパワーデバイスの技術開発
- SiCパワーデバイスの技術開発
- GaNパワーデバイスの技術開発
- 酸化ガリウムパワーデバイスの技術開発
- 日本の電子デバイス盛衰の歴史とパワーデバイスの将来展望
- 日本の電子デバイス盛衰の歴史
- 世界のパワーデバイスの状況
- 日本のパワーデバイスの将来展望
- まとめ
受講料
- 1名様: 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 複数名: 22,500円(税別) / 24,750円(税込)
案内割引・複数名同時申込割引について
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「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 40,000円(税別) / 44,000円(税込) で受講いただけます。
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- R&D支援センターからの案内を希望する方
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- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
アーカイブ配信セミナー
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- 配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
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- 視聴期間は2025年8月22日〜29日を予定しております。
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