パワーデバイスは、地球温暖化防止の決め手となるパワーエレクトロニクスを根底から支えています。これまで日本は、パワーデバイス業界を主導的に牽引してきました。しかしながら最近、日本のパワーデバイスの世界シェアは徐々に落ちてきており、何らかの手を打たない限り、この動きは止められません。
Siパワーデバイスは製造ラインの300mm化が必須ですが、日本はすでに大きく出遅れています。近年、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。量産化には多くの課題があるものの、海外メーカは積極的に市場投入を進めています。日本はここでも、海外メーカに後れを取っています。
本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発動向と今後の課題について詳細に解説します。さらに、日本のパワーデバイス再建についても議論します。
- パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイス業界動向
- パワーエレクトロニクスへの期待とパワーデバイスの適用分野
- パワーデバイスによる電力変換とパワーデバイスの高性能化
- パワーチップおよびパワーモジュールの構造
- パワーチップおよびパワーモジュールの構造
- パワーチップおよびパワーモジュールの製造プロセス
- Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発
- Siパワーデバイスの技術開発
- SiCパワーデバイスの技術開発
- GaNパワーデバイスの技術開発
- 酸化ガリウムパワーデバイスの技術開発
- 日本の電子デバイス盛衰の歴史とパワーデバイスの将来展望
- 日本の電子デバイス盛衰の歴史
- 世界のパワーデバイスの状況
- 日本のパワーデバイスの将来展望
- まとめ
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