フォトリソグラフィ技術の進化は、半導体集積回路の集積度向上を支えてきました。最先端の極端紫外線 (EUV) リソグラフィによって20 nm以下の線幅まで解像可能となり、微細化による半導体製品の高性能化のトレンドは継続するとみられます。しかし、EUVリソグラフィには特有の課題があり、レジスト材料等の最適化が進められています。
本講演では、微細加工技術の基礎から始まり、フォトリソグラフィ技術の原理や特長、さらに最新のEUVリソグラフィ技術について、光と物質の相互作用に基づいて詳しく解説します。
EUVリソグラフィの装置やレジスト、フォトマスクなどの要素技術から応用事例までを網羅し、最後にフォトリソグラフィ技術の課題と今後の展望について紹介します。これにより、微細加工分野における最先端技術の理解を深めていただくことを目的としています。
- 微細加工技術
- 微細加工の基礎
- 微細加工パターンの評価手法
- 光学顕微鏡
- 電子顕微鏡
- プローブ顕微鏡
- フォトリソグラフィの基礎
- フォトリソグラフィ技術の原理
- フォトリソグラフィの特長
- フォトリソグラフィの歴史
- フォトリソグラフィ技術の材料
- EUVリソグラフィ技術の基礎
- EUVリソグラフィ装置
- EUV露光の物理
- EUVレジスト
- 化学増幅型レジスト
- 非化学増幅型レジスト
- メタルレジスト
- その他のレジスト
- レジスト周辺材料
- EUVフォトマスク
- EUVマスクブランクス
- EUVペリクル
- EUVリソグラフィ技術の応用事例
- SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
- 銀または銅焼結接合技術
- SiC-MOSFETモジュール技術
- フォトリソグラフィ技術の課題と展望
複数名受講割引
- 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
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アカデミー割引
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