本セミナーでは、各種電子顕微鏡の構造と原理、観察目的に応じた観察手法の選択などについてわかりやすく解説!TEM用薄片試料の作製方法、ノウハウについて詳解いたします。
LSI、発光ダイオード、受光素子、高周波トランジスタなどの半導体デバイスは、社会、システム、産業の多岐にわたる分野において幅広く用いられている。 これらのデバイスの高性能化、高機能化さらには高信頼化を実現するためには、デバイスの材料である各種半導体薄膜材料をはじめ、金属膜、絶縁膜材料の結晶性 (不純物、欠陥、界面構造など) を詳細に分析・評価する必要がある。その最も重要な評価法の一つとして電子顕微鏡法 (SEM,TEM) が広く用いられている。 しかし、本方法を用いて、これらの材料を適正に評価・解析するためには、目的に応じた最適な評価・解析手法を用いる必要がある。 また、TEM観察を行うには、15 nmから0.2μmの薄い膜を作製する必要がある。そのため、試料薄片化をうまく行うためには、経験に基づいた、多くの工夫とノウハウがある。 そこで、本セミナーでは、永年、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体薄膜およびデバイスのSEM,TEMによる分析評価に携わってきた専門家により、これから材料・デバイスの分析評価を始める方や中堅の方にも、実用的な電子顕微鏡の各種解析法や試料作製法の詳細を豊富な事例を挙げながら分かりやすく解説していただく。