本講座では、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説する。具体的には、ドライエッチングに用いられるプラズマ装置、装置内のプラズマの構造やダイナミクス、気相反応、および、反応性イオンエッチング (RIE) から、近年注目を集める原子層エッチング (ALE) にわたるドライエッチング技術に関して、プラズマ物質相互作用の物理機構から最新技術動向まで、詳しく紹介する。
関連項目として、プラズマCVDと原子層堆積 (ALD) プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション (DX) の最新研究動向についても、概要を紹介する。プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。
- 背景
- プラズマ科学の基礎
- 代表的なプラズマプロセス装置
- 容量結合型プラズマ (CCP) 装置
- 誘導結合型プラズマ (ICP) 装置
- 反応性イオンエッチング (RIE) の基礎
- プラズマ表面相互作用
- 表面帯電効果
- シリコン系材料エッチング反応機構
- 金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
- 高アスペクト比 (HAR) エッチング概要
- プラズマCVD概要:原子層堆積 (ALD) の基礎として
- ALDプロセスの概要:原子層エッチング (ALE) の逆過程として
- 熱ALD
- プラズマ支援 (PA-) ALD
- ALEプロセスの概要と最新技術動向
- PA-ALE
- 熱ALE:リガンド交換
- 熱ALE:金属錯体形成
- 半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション (DX)
- まとめ
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