パワーデバイス半導体SiC結晶と欠陥評価技術

再開催を依頼する / 関連するセミナー・出版物を探す
オンライン 開催

本セミナーでは、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響についてレビューした後、結晶欠陥の評価手法に関して解説いたします。

日時

開催予定

プログラム

SiCパワーデバイスは、N700S系新幹線をはじめとする電鉄車両の電力変換や、電気自動車、などにすでに用いられており、社会実装が始まっている。しかし、無転位の結晶を前提とすることができるSiと比較すると、多くの結晶欠陥がSiCウェハには含まれており、SiCパワーデバイスの生産性を低下させる原因となっている。このため、SiCパワーデバイスにおいては、結晶欠陥の評価が重要となる。  本講座では、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響についてレビューした後、結晶欠陥の評価手法に関して解説を行い、SiCウェハの欠陥評価法の理解を深める。

  1. はじめに
    1. SiCパワーデバイスと高品質SiC結晶基板の重要性
    2. SiC基板の社会実装の進展と今後の課題
    3. SiC基板の供給状況と技術的課題
  2. SiCの基礎
    1. SiCの結晶構造と多形
    2. 六方晶の結晶方位 (四指数法)
    3. 結晶多形 (Polytype) の解説
    4. Si面とC面
  3. SiC結晶の成長法
    1. 昇華法
    2. CVD法
    3. 溶液法
    4. 各成長法の利点・課題と欠陥発生メカニズム
  4. 結晶欠陥の基礎
    1. 結晶欠陥の種類 (0次元から三次元)
    2. SiC特有の結晶欠陥の基礎
      • マイクロパイプ
      • 転位
      • 積層欠陥
    3. 結晶欠陥の観察例と観察法
    4. 結晶欠陥がデバイス性能に与える影響
  5. 結晶欠陥の評価技術
    1. X線トポグラフィ法
    2. フォトルミネッセンス法
    3. 偏光顕微鏡法
    4. KOHエッチング法
    5. 透過電子顕微鏡法
    6. 評価手法ごとの特徴・適用範囲の整理
  6. マルチモーダル解析
    1. 結晶欠陥のマルチモーダル解析
    2. 欠陥自動検出アルゴリズム
      • 画像処理
      • 機械学習活用
  7. 結晶欠陥制御技術の実例と応用
    1. 結晶成長過程における欠陥低減技術
      • RAF法
      • 溶液法など
    2. 基底面転位 (BPD) とバイポーラ劣化のメカニズムおよび抑制技術 (CVD法含む)
    3. 低抵抗SiC基板における積層欠陥形成と制御
  8. まとめと質疑応答
    1. まとめ
    2. 質疑応答

受講料

複数名受講割引

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

ライブ配信セミナーについて