半導体CMP技術の基礎と先端パッケージ向け工程・スラリー材料の技術動向

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本セミナーでは、CMPの基礎から、材料・プロセスの評価技術、様々な基板研磨技術、FEoL・BEoLにおけるCMP工程と使用されるスラリー材料、技術トレンド、3DインテグレーションにおけるCMP技術動向について詳解いたします。

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プログラム

CMP (Chemical Mechanical Planarization、化学機械研磨) は、半導体デバイス製造における不可欠なキープロセスとして、その登場から30年以上が経過した。当初は特殊工程と見なされていたCMPであるが、現在ではFEoL (Front End of Line) 、BEoL (Back End of Line) の各工程において重要な役割を担い、さらには3Dインテグレーションなど次世代パッケージ技術にも応用が広がっている。  本講演では、半導体デバイス製造におけるCMP工程の概要から、FEoLおよびBEoLにおけるCMP工程の特徴、それに使用されるスラリー材料の詳細を解説する。また新たな応用である3DインテグレーションにおけるCMPの役割と技術を紹介し、半導体の高性能化・高集積化を支えるCMP技術の全体像を解説する。

  1. 半導体デバイスとCMPプロセス
    1. 半導体デバイスとCMP
    2. CMPの概要
  2. FEoLにおけるCMP
    1. FEoL CMPの概要・分類
    2. FEoL CMPにおける要求特性
    3. FEoL CMPにおけるスラリの詳細 (1)
    4. FEoL CMPにおけるスラリの詳細 (2)
    5. FEoL CMPにおける技術トレンド
  3. BEoLにおけるCMP
    1. BEoL CMPの概要・分類
    2. Cu CMPにおける要求特性
    3. Cu CMPにおけるスラリの詳細
    4. BEoL CMPと電気化学
    5. W CMPにおける要求特性
    6. W CMPにおけるスラリの詳細
  4. CMPの応用
    1. 近年の3Dインテグレーションの概要
    2. 3DインテグレーションにおけるCMP

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